[发明专利]一种耐高温晶体谐振器底座与外壳的烧结封装工艺

说明书

技术领域

本发明涉及谐振器、振荡器金属基座烧结工艺技术领域，具体的说是一种耐高温晶体谐振器底座与外壳的烧结封装工艺。

背景技术

晶体谐振器、振荡器表面贴装陶瓷基座一直是技术含量高的产业，目前，传统的表晶基座的生产工艺是，将玻璃绝缘子、引线、底板组装后，使用隧道炉，在氮气保护下高温烧结，就形成一个完整的基座，外壳是用冲压、镀锡（或者镀镍）工艺制作的。

现存的技术问题如下： 生长设备陈旧，技术落后。与日本、韩国等国相比，我国用来烧结陶瓷基座的工艺均不能有效解决陶瓷基的膨胀系数和金属膨胀系数在冷却的过程中保持接近，从而紧密结合的技术难点，使得表晶的质量难以大幅度改进和提高，产品进入国际市场质量竞争力弱。

基座烧结工艺是一个非常精细的过程，国内同类产品生产厂家，采用高温下氮气排放烧结，且基座与外壳电镀层厚度不均匀，大多数产品产品质量稳定性、合格率差，不能达到的国际上认可的质量检验标准，进入国际市场后难以争取长久的大用户。 规模生产不足,成本高。工艺成本相对较高，设备复杂，投入较大，批量生产能力不足，难以创造更高经济效益，对来自国外的大订单，一般难以满足供货量和货期的要求。

为了很好的解决上述问题，本发明提供一种耐高温晶体谐振器底座与外壳的烧结封装工艺。

发明内容

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种耐高温晶体谐振器底座与外壳的烧结封装工艺，包括金属底座、超声波触头真空内腔，其特征在于：所述的金属底座表面电镀锡铜合金能达到320°C高温气流基座不流锡，并实现内部抽真空，频率误差在4.5ppm以内，所述超声波触头采用先进镀镍技术，能保证在壳内外都镀镍，且镀层厚度均匀，所述烧结工艺采用低温、低氮气排放烧结，并使用循环水冷却，高温抗老化时的频率漂移。

所述的耐高温晶体谐振器底座与外壳的烧结封装工艺，其特征在于：所述烧结工艺采用低温、低氮气排放烧结，并使用循环水冷却，所述玻璃与金属之间的绝缘电阻大于1200兆欧，玻璃珠与金属外壳之间的气密性漏气率小于1′10-9ATM.CC/S；基座锡铜镀层200°C温度不融化，外壳尺寸公差小于正负6微米，镀镍层均匀，环保。

本发明的有益效果是：采用金属与玻璃的玻封烧结工艺，通过氧化式隧道炉烧结工艺，在基座表面电镀锡铜合金，使很小的工件在冷热变更时能保证良好的气密性；先进内外均可镀锡的镀锡技术，厚度均匀，且在100°C老化实验条件下频率不漂移；低温、低氮气排放烧结，并使用循环水冷却，可以有效节约成本，产品外观质量完全能达到甚至超越进口表晶的水平。

附图说明：

图1为本发明耐高温晶体谐振器底座与外壳的烧结封装工艺结构示意图。

图中：1、金属底座；2、超声波触头；3、真空内腔。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明做以下详细说明：

如图1所示，一种耐高温晶体谐振器底座与外壳的烧结封装工艺，属于谐振器、振荡器金属基座烧结工艺技术领域，包括金属底座、超声波触头真空内腔，所述的金属底座表面电镀锡铜合金能达到320°C高温气流基座不流锡，并实现内部抽真空，频率误差在4.5ppm以内，所述超声波触头采用先进镀镍技术，能保证在壳内外都镀镍，且镀层厚度均匀，所述烧结工艺采用低温、低氮气排放烧结，并使用循环水冷却，高温抗老化时的频率漂移，包括金属底座、超声波触头真空内腔，其特征在于：所述的金属底座表面电镀锡铜合金能达到320°C高温气流基座不流锡，并实现内部抽真空，频率误差在4.5ppm以内，所述超声波触头采用先进镀镍技术，能保证在壳内外都镀镍，且镀层厚度均匀，所述烧结工艺采用低温、低氮气排放烧结，并使用循环水冷却，高温抗老化时的频率漂移。所述烧结工艺采用低温、低氮气排放烧结，并使用循环水冷却，所述玻璃与金属之间的绝缘电阻大于1200兆欧，玻璃珠与金属外壳之间的气密性漏气率小于1′10-9ATM.CC/S；基座锡铜镀层200°C温度不融化，外壳尺寸公差小于正负6微米，镀镍层均匀，环保。

本发明采用金属与玻璃的玻封烧结工艺，通过氧化式隧道炉烧结工艺，在基座表面电镀锡铜合金，使很小的工件在冷热变更时能保证良好的气密性；先进内外均可镀锡的镀锡技术，厚度均匀，且在100°C老化实验条件下频率不漂移；低温、低氮气排放烧结，并使用循环水冷却，可以有效节约成本，产品外观质量完全能达到甚至超越进口表晶的水平。