[发明专利]加快电源下电速度的电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术，尤其涉及一种加快电源下电速度的电路。

背景技术

在电子设备的供电系统中，受电负载通常为非线性负载，为了满足非线性负载的瞬时电流需求，电源上通常有很多储能电容，当电子设备下电时，电源电压先快速下降，到达某个电压值后，残留电压的下电速度变缓，因而在电子设备下电后的一段时间内，部分电路还在供电，导致电子设备没有完全断电，处于不稳定的状态，如果此时立即上电，则会由于部分电路锁死进而导致电子设备异常。

现有技术中，为了加快电源残留电压的下电速度，在电源串接负载电阻和开关，并由软件来控制开关。在电子设备上电和稳态工作的过程中，软件控制开关断开，在电子设备的下电过程中，当软件检测到电源电压下降到预先设置的阈值后，控制开关闭合，通过负载电阻消耗残留电压。

然而，通过软件控制开关的断开和闭合，要求电路中有微控制器，电路设计复杂，通用性差。

发明内容

本发明提供一种加快电源下电速度的电路，以通过简单且通用性高的电路实现电源的快速下电。

本发明提供一种加快电源下电速度的电路，包括检测控制电路和泄放电路，其中：所述检测控制电路包括第一二极管、第一上拉电阻和第一晶体管；所述第一二极管的负极以及所述第一上拉电阻均与电源相连，所述第一二极管的正极与所述第一晶体管的基极相连，所述第一晶体管的集电极与所述第一上拉电阻相连，所述第一晶体管的发射极接地；所述泄放电路包括功率电阻和功率开关；所述功率电阻与所述电源相连，所述功率开关的集电极与所述功率电阻相连，所述功率开关的基极与所述第一晶体管的集电极相连，所述功率开关的发射极接地。

本发明提供的加快电源下电速度的电路，通过采用二极管、晶体管以及电阻，组成检测控制电路和泄放电路，并通过检测控制电路控制泄放电路的导通与截止，从而实现加快电源的下电速度，且电路结构简单，通用性高。

附图说明

图1为本发明加快电源下电速度的电路实施例一的结构示意图；

图2为本发明加快电源下电速度的电路实施例二的结构示意图；

图3为本发明加快电源下电速度的电路的快速下电电压波形示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明加快电源下电速度的电路实施例一的结构示意图。如图1所示，本实施例提供的加快电源下电速度的电路具体可以包括检测控制电路11和泄放电路12，其中：

所述检测控制电路11包括第一二极管111、第一上拉电阻112和第一晶体管113；

所述第一二极管111的负极以及所述第一上拉电阻112均与电源10相连，所述第一二极管111的正极与所述第一晶体管113的基极相连，所述第一晶体管113的集电极与所述第一上拉电阻112相连，所述第一晶体管113的发射极接地；

所述泄放电路12包括功率电阻121和功率开关122；所述功率电阻121与所述电源10相连，所述功率开关122的集电极与所述功率电阻121相连，所述功率开关122的基极与所述第一晶体管113的集电极相连，所述功率开关122的发射极接地。

需要说明的是，所述第一二极管111可以为稳压二极管，所述第一晶体管113可以为NPN型晶体管，所述功率开关122可以为NPN型达林顿管，所述第一二极管111的功能也可以使用电压基准和电压比较器实现，所述第一晶体管113也可以使用场效应管替代，本实施例不对此进行限制。具体的，在一开始下电时，由系统负载102消耗电源电压，直至电源电压低于所述第一二极管111的击穿电压与第一晶体管113的基极（Base，简称：B）发射极（Emitter，简称：E）导通电压之和时，所述第一晶体管113截止，第一晶体管113的集电极（Collector，简称：C）被拉高至电源电压，此时功率开关122导通，功率电阻121消耗电源电压上的储能电容101上的残留电压，从而使电源电压快速下降。

进一步的，为了保护所述第一晶体管113不会在电压过大时被击穿，所述检测控制电路11中还可以包括第一保护电阻114，所述第一保护电阻114连接在所述第一二极管111与所述第一晶体管113的基极之间。