[发明专利]渠道形电温双调控太赫兹波开关

权利要求书

1. 一种渠道形电温双调控太赫兹波开关，其特征在于包括信号输入端（1）、第一输出端（2）、第二输出端（3）、基板（4）；基板（4）上设有第一直波导（5）、U形波导（6）、第二直波导（7）、倒C形波导（8）、第一C形波导（9）、第一S形波导（10）、第二S形波导（11）、Y形装置（12）、第三直波导（13）、第二C形波导（14）、镰刀形波导（15）、圆角矩形环状波导（16）、N型半导体（17）、P型半导体（18）；U形波导（6）的左端与第一直波导（5）的右端相连，U形波导（6）的右端与第二直波导（7）的左端相连，第二直波导（7）的右端与倒C形波导（8）的上端部相连，倒C形波导（8）的下端部与第一C形波导（9）的上端部相连，第一C形波导（9）的下端部与Y形装置（12）的左端相连，第一S形波导（10）的右上端与Y形装置（12）的左端相连，第一S形波导（10）的左下端与第二S形波导（11）的右上端相连，第二S形波导（11）的左下端与第三直波导（13）的右端相连，第三直波导（13）的左端与第二C形波导（14）的下端部相连，第二C形波导（14）的上端部与镰刀形波导（15）的左端相连，圆角矩形环状波导（16）在U形波导（6）与镰刀形波导（15）之间，P型半导体（18）设在圆角矩形环状波导（16）内，圆角矩形环状波导（16）左右外侧分别设有一个N型半导体（17）；第一直波导（5）的左端为信号输入端（1），Y形装置（12）右上端为第一输出端（2），Y形装置（12）右下端为第二输出端（3），所述U形波导（6）由四个小四分之一圆环形波导（19）、两个第四直波导（20）和一个第五直波导（21）连接而成，倒C形波导（8）由一个第六直波导（23）两端分别与两个同向大四分之一圆环形波导（22）连接而成，第一S形波导（10）由一个第七直波导（24）两端分别与两个异向小四分之一圆环形波导（19）连接而成，Y形装置（12）由温控装置（25）与向上小四分之一圆环形波导（19）、向下小四分之一圆环形波导（19）、第七直波导（24）相连的结构，和由温控装置（25）与向下小四分之一圆环形波导（19）、向上小四分之一圆环形波导（19）、第七直波导（24）相连的结构拼接而成，第二C形波导（14）由一个第七直波导（24）两端分别与两个同向小四分之一圆弧形波导（19）连接而成，镰刀形波导（15）由第五直波导（21）和半圆环形波导（26）连接而成，太赫兹波从信号输入端（1）水平输入，当N型半导体（17）、P型半导体（18）没有加电压且Y形装置（12）内的温控装置（25）的温度没有改变时，太赫兹波从第一输出端（2）输出，此时开关状态设为“开”；当N型半导体（17）、P型半导体（18）加电压或者Y形装置（12）内的温控装置（25）的温度改变时，太赫兹波从第二输出端（3）输出，此时开关状态设为“关”，从而实现开关的效果。

2. 根据权利要求1所述的一种渠道形电温双调控太赫兹波开关，其特征在于所述的基板（4）的材料为二氧化硅，基板（4）的长为900μm~990μm，宽为900μm~990μm，高为60μm~80μm；所述的第一直波导（5）的材料为硅，第一直波导（5）的长为80μm~90μm，宽为20μm~30μm，高为20μm~30μm；所述的第二直波导（7）的材料为硅，第二直波导（7）的长为100μm~110μm，宽为20μm~30μm，高为20μm~30μm；所述的第三直波导（13）的材料为硅，第三直波导（13）的长为120μm~130μm，宽为20μm~30μm，高为20μm~30μm。

3. 根据权利要求1所述的一种渠道形电温双调控太赫兹波开关，其特征在于所述的U形波导（6）的材料为硅，小四分之一圆环形波导（19）的外半径为70μm~80μm，内半径为50μm~60μm；第四直波导（20）的长为50μm~60μm，宽为20μm~30μm，高为20μm~30μm；第五直波导（21）的长为120μm~130μm，宽为20μm~30μm，高为20μm~30μm。

4. 根据权利要求1所述的一种渠道形电温双调控太赫兹波开关，其特征在于所述的倒C形波导（8）和第一C形波导（9）的结构尺寸相同且材料均为硅，大四分之一圆环形波导（22）的外半径为80μm~90μm，内半径为60μm~70μm；第六直波导（23）的长为40μm~50μm，宽为20μm~30μm，高为20μm~30μm。