[发明专利]一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器

权利要求书

1.一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：在一种CMOS集成电路中至少有一个门是设计在一个预定输出参考电平转换且和其他大量门在一个通用电源中工作，改进的补偿将所述门在从通用电源中分离的稳压电位中工作且不同于工作温度和制程参数的变化，所述由一个代表性运行门确定的调节的电势具有的输入端子耦合到一个TTL兼容的参考电位。

2.根据权利要求1所述的一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：所述稳压电位从稳压器电路中获得，其包括：可变导通元件，耦合在所述公共电源和所述门由此可以改变所述门的开关电平；以及用于所述导通元件不同的电导响应于所述代表工作门和所述参考电平电位的输出电位之间的差异的变化。

3.根据权利要求2所述的一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：所述用于改变包括第二运行门和典型的运行门级联耦合且具有大量的扩增。

4.根据权利要求3所述的一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：所述第二运行门具有的有源器件产生大量的电平移位，从而产生接近所述公共供电比值的电平V_CC的额定输出高电平。

5.根据权利要求2所述的一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：其中所述的改进装置，用于改变的方法包括一个差分运算放大器，其具有的一个输出端耦合到所述可变导通元件，一个反相输入端耦合到所述典型运行门的输出且一个非反相输入端耦合到一个代表所需运行门的运行电平的输出电势。

6.根据权利要求5所述的一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：所述可变电导导通元件是一个NPN双极型晶体管。

7.根据权利要求5所述的一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：所述可变电导导通元件是一个N-沟道的场效应晶体管。

8.根据权利要求5所述的一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：所述可变电导通元件是一个P沟道的场效应晶体管。

9.根据权利要求1所述的一种TTL电平输入的高速CMOS缓冲器，其特征是：所述结构包括一门阵列，其中多个门制造且多个开关的阈值是从属于所述代表性的运行门。