[发明专利]一种等离子体刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201310597934.3 申请日: 2013-11-22
公开(公告)号: CN103646841A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 邵克坚;冯翔 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 刻蚀 设备
【权利要求书】:

1.一种等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述设备包括反应腔体、盖板、静电吸附盘、悬臂以及分子泵;

所述盖板位于所述反应腔体的顶部,且在该盖板的中心区域设置有气体喷嘴;

所述静电吸附盘悬浮于所述反应腔体内部,并通过所述悬臂的支撑作用而水平悬浮于所述反应腔体中;

所述悬臂的一端固定于所述反应腔体的内侧壁,所述悬臂的另一端与所述静电吸附盘的侧壁相连接,且所述悬臂上设置有若干个于竖直方向贯穿该悬臂的孔洞;所述分子泵位于所述反应腔体的下方。

2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述反应腔体为真空反应腔体。

3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述反应腔体为正圆形的对称式结构。

4.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述气体喷嘴与所述盖板之间为密封连接。

5.如权利要求4所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述气体喷嘴与上方的气体输入管相连接。

6.如权利要求5所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述气体喷嘴的喷口为可调节式结构。

7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述分子泵的排气导向为中心对称分布。

8.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述反应腔体的底部为开口式结构,并与所述分子泵之间存在一定的间隙。

9.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述悬臂为中空式结构,且所述中空式结构内设置有电线,所述电线的一端与所述静电吸附盘连接,另一端与外界电源连接。

10.如权利要求9所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述孔洞与所述中空式结构没有交叠。

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