[发明专利]有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种AMOLED背板像素布局工艺，尤其涉及一种有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法。

背景技术

目前AMOLED背板像素布局占用面积最大的就是储存电容，如图1和图2所示，储存电容由上下两层平行金属层21和22构成，金属层面积越大电容值越大，储存能力越强，若可以减小储存电容的面积，则可大大缩小像素面板的面积，从而达到高精确像素内插（Precise Pixel Interpolation，简称PPI）需求。但若储存电容面积减小，电容的容值就会跟着减小，影响像素电路驱动能力。随着AMOLED产品解析度增加，同时画面质量需求提升，像素尺寸越来越小，像素电路越来越复杂。如何在储存电容平面面积减小的情况下，又可以维持电容容量，保持电性需求，是一个关键的技术研究方向。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种可以在维持电容容量不变的情况下，减小电容平面布局面积，达到提高像素质量的有机电激发光二极体储存电容结构。

为实现上述技术效果，本发明公开了一种有机电激发光二极体储存电容结构，包括在玻璃基板上依次设置的一多晶硅层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其中：

在所述第三绝缘层上设有一第三金属层，所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层与所述第三金属层位置形成有接触洞，所述第二金属层形成有用于避开所述接触洞的避让区域，所述第三金属层与所述第一金属层通过所述接触洞接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。

本发明由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果是：通过在立体空间上在第一金属层与第二金属层构成的第一电容上增加一层第三金属层，并使得其与第二金属层构成一第二电容，再通过接触洞使得第一金属层与第三金属层接触导通，使得第二电容与第一电容构成两个相互并联的电容结构，这样就可以在减小存储电容平面面积的情况下，维持电容容量，不影响像素电路驱动能力。

本发明进一步的改进在于，所述避让区域的面积大于所述接触洞的面积，且所述第三绝缘层的材料沉积填充于所述避让区域与接触洞之间。在制作第二金属层时，需要避开接触洞对应的位置，并且避让范围要比接触洞大，这样第三绝缘层顺势沉积下来，接触洞蚀刻完成后，在第二金属层的侧壁仍可以保留一定的第三绝缘层材料，避免沉积第三金属层时流进接触洞内与侧面第二金属层接触。

本发明还公开了一种有机电激发光二极体储存电容结构的制备方法，依次在玻璃基板上制作一多晶硅层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，使得所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其中：

在制作所述第二金属层时形成一避让区域，于所述第二金属层上制作所述第三绝缘层，并且所述第三绝缘层的材料顺势沉积于所述避让区域；

于所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层和避让区域位置形成接触洞；

于所述第三绝缘层上制作一第三金属层，使得所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，并且通过所述接触洞使得所述第三金属层与所述第一金属层接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。

附图说明

图1是现有的储存电容结构的示意图。

图2是图1的局部剖面图。

图3是本发明有机电激发光二极体储存电容结构的示意图。

图4是图3的局部剖面图。

图5是本发明有机电激发光二极体储存电容结构的局部电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图以及具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

本发明公开了一种有机电激发光二极体储存电容结构，参阅图3～图5所示，包括在玻璃基板11上依次设置有一多晶硅层12、一第一绝缘层13、一第一金属层14、一第二绝缘层15、一第二金属层16以及一第三绝缘层17，第一金属层14与第二金属层16相互平行形成一第一电容C1。