[发明专利]高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管

权利要求书

1.一种高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管，其特征在于： 包括SOI晶圆的硅衬底（10），SOI晶圆的硅衬底（10）上方为SOI晶圆的绝缘层（9），SOI晶圆的绝缘层（9）上方为单晶硅凹槽（8），相邻单晶硅凹槽（8）之间通过绝缘介质层（7）彼此绝缘，单晶硅凹槽（8）的两端上方分别为未经掺杂的高纯度单晶硅材料所组成的本征硅源区（3）和单晶硅材料经过扩散或离子注入后形成的重掺杂漏区（4），单晶硅凹槽（8）内部也由未经过掺杂的高纯度单晶硅材料所组成，重掺杂漏区（4）与其上方的漏电极（2）形成良好的欧姆接触，而本征硅源区（3）与其上方的源电极（1）形成肖特基接触，栅极绝缘层（6）附着于本征硅源区（3）的外侧壁表面和单晶硅凹槽（8）的内侧壁表面，栅极绝缘层上方附有栅电极（5），源电极（1）、栅电极（5）和漏电极（2）之间通过绝缘介质层（7）彼此绝缘；栅电极（5）呈英文大写字母L形，其附着于栅极绝缘层（6）之上，对单晶硅凹槽（8）及本征硅源区（3）起控制作用；

L形栅电极（5）对应L形的垂直部分在左侧，更靠近本征硅源区（3）；重掺杂漏区（4）设置在L形垂直部分的右侧。

2.根据权利要求1所述的高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管，其特征在于：源电极（1）与本征硅源区（3）之间接触并形成的肖特基势垒，其接触势垒高度小于本征硅的禁带宽度。

3.根据权利要求1所述的高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管，其特征在于：栅极绝缘层（6）是通过对单晶硅凹槽（8）的内部通过淀积和刻蚀工艺生成的具有高介电常数的绝缘材料介质层，所述的具有高介电常数的绝缘材料介质层为二氧化铪、四氮化三硅或三氧化二铝。