[发明专利]芯片封装体的开封方法

权利要求书

1.一种芯片封装体的开封方法，所述芯片封装体包括塑封料层(10)、引线(20)和芯片(30)，其特征在于，所述开封方法包括：

采用干法刻蚀减薄芯片封装体上表面的所述塑封料层(10)，得到预开封封装体；

对所述预开封封装体进行化学湿法刻蚀至所述芯片(30)的上表面裸露，

所述化学湿法刻蚀包括：

向所述预开封封装体滴注刻蚀液，进行刻蚀至所述芯片(30)的上表面裸露；

对完成所述刻蚀的所述预开封封装体进行清洗，所述化学湿法刻蚀的刻蚀液包括硝酸和硫酸，所述硝酸为发烟硝酸，所述硫酸为浓度为98％的硫酸，所述硝酸与所述硫酸的体积比为1:1～1:3，所述化学湿法刻蚀的刻蚀过程是在30～40℃下进行的，

所述减薄芯片封装体表面的塑封料层(10)包括：

对所述芯片封装体进行干法刻蚀至塑封料层(10)的顶面位于所述引线(20)上方且距所述引线(20)的最高点10～30μm。

2.根据权利要求1所述的开封方法，其特征在于，所述干法刻蚀为等离子体刻蚀或反应离子刻蚀。

3.根据权利要求2所述的开封方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀的刻蚀气体包括惰性气体和氧化性气体，所述惰性气体和所述氧化性气体的体积比为4～6:1～3。

4.根据权利要求3所述的开封方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀的激发功率为600～1500W、偏置电压为10～800V，所述刻蚀气体的压力为2～200mT、流量为800～1500sccm。

5.根据权利要求3所述的开封方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar，所述氧化性气体为氧气。

6.根据权利要求2所述的开封方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀的刻蚀气体包括CF₄和CHF₃中的一种以及氧气，且所述CF4与所述氧气的体积比或所述CHF3与所述氧气的体积比为2～5:1。

7.根据权利要求6所述的开封方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀的激发功率为100～300W，所述刻蚀气体的流量为50～200sccm，所述刻蚀气体的压力为2～50mT。

8.根据权利要求1所述的开封方法，其特征在于，所述硝酸与所述硫酸的体积比为1:1。

9.根据权利要求1所述的开封方法，其特征在于，所述芯片封装体内引线为铜引线。