[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成包括像素电极的图案层、以及包括栅电极、栅线的图案层；

在形成有所述包括栅电极、栅线的图案层的基板上，最多通过两次构图工艺形成栅绝缘层、至少包括金属氧化物半导体有源层的图案层、以及至少包括刻蚀阻挡层的图案层；其中，在所述像素电极上方形成露出所述像素电极的第一过孔；

在形成有所述刻蚀阻挡层的基板上，通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和数据线的图案层；其中，所述源电极和所述漏电极均与所述金属氧化物半导体有源层接触，所述漏电极与所述像素电极通过所述第一过孔电连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成有所述包括栅电极、栅线的图案层的基板上，最多通过两次构图工艺形成栅绝缘层、至少包括金属氧化物半导体有源层的图案层、以及至少包括刻蚀阻挡层的图案层，包括：

在形成有所述包括栅电极、栅线的图案层的基板上，形成栅绝缘层薄膜，在所述栅绝缘层薄膜上通过一次构图工艺形成所述金属氧化物半导体有源层；

在形成有所述金属氧化物半导体有源层的基板上形成刻蚀阻挡层薄膜，并在所述刻蚀阻挡层薄膜上形成光刻胶；

采用第一灰色调掩膜板或第一半色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的所述刻蚀阻挡层的区域，所述光刻胶完全去除部分对应待形成的所述第一过孔的区域，所述光刻胶半保留部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述刻蚀阻挡层薄膜和栅绝缘层薄膜，形成带有所述第一过孔的所述栅绝缘层；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺去除露出的所述刻蚀阻挡层薄膜，形成所述刻蚀阻挡层；其中，所述刻蚀阻挡层薄膜的材料与所述栅绝缘层的材料不同；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成有所述包括栅电极、栅线的图案层的基板上，最多通过两次构图工艺形成栅绝缘层、至少包括金属氧化物半导体有源层的图案层、以及至少包括刻蚀阻挡层的图案层，包括：

在形成有所述包括栅电极、栅线的图案层的基板上，依次形成所述栅绝缘层薄膜、金属氧化物半导体有源层薄膜、以及所述刻蚀阻挡层薄膜，并在所述刻蚀阻挡层薄膜上形成光刻胶；

采用第二灰色调掩膜板或第二半色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶半保留部分对应待形成的用于连接所述源电极和所述金属氧化物半导体有源层的第二过孔、以及用于连接所述漏电极和所述金属氧化物半导体有源层的第三过孔的区域；所述光刻胶完全去除部分对应待形成的用于连接所述漏电极和所述像素电极的所述第一过孔，以及沿所述栅线方向位于所述第一过孔右侧且靠近所述第一过孔的第四过孔和位于所述第四过孔右侧且靠近所述第二过孔的第五过孔的区域；所述光刻胶完全保留部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述刻蚀阻挡层薄膜、所述金属氧化物半导体有源层薄膜、所述栅绝缘层薄膜，形成带有所述第一过孔、所述第四过孔和所述第五过孔的所述栅绝缘层，以及形成包括带有所述第一过孔的所述金属氧化物半导体有源层和金属氧化物半导体有源层保留图案的图案层；其中，由位于任意相邻的两个所述栅极之间的所述第四过孔和所述第五过孔之间的区域限定所述金属氧化物半导体有源层保留图案；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺去除露出的所述刻蚀阻挡层薄膜，形成所述第二过孔和所述第三过孔、以及包括所述刻蚀阻挡层和刻蚀阻挡层保留图案的图案层；其中，由位于所述栅电极两侧的所述第二过孔和所述第三过孔之间的区域限定所述刻蚀阻挡层，其余剩余的所述刻蚀阻挡层薄膜为刻蚀阻挡层保留图案；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一过孔和所述第三过孔具有间距。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一过孔和所述第三过孔相连接。