[发明专利]一种半导体平坦化层的制作方法在审
| 申请号： | 201310596947.9 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104658906A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 高印;柯其勇;颜圣佑;陈智冈 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘永军;洪燕 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 平坦 制作方法 | ||
1.一种半导体平坦化层的制作方法，其中，包括：
涂布、烘烤和干燥步骤，是将用于形成平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，然后进行烘烤处理和干燥处理；
曝光和显影步骤，是对通过所述涂布、烘烤和干燥步骤处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理；
根据要制作的平坦化层所需的涂胶厚度，至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤；
其中至少实施一次的所述曝光步骤和显影步骤。
2.如权利要求1所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
首先至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤，
然后只实施一次所述曝光和显影步骤。
3.如权利要求2所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
所述烘烤处理是软烘处理，所述干燥处理是采用真空干燥装置进行的低压冷凝干燥处理。
4.如权利要求1所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
在每次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤后，均接着实施一次所述曝光和显影步骤。
5.如权利要求4所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
所述烘烤处理是软烘处理，所述干燥处理是采用真空干燥装置进行的低压冷凝干燥处理。
6.如权利要求1～5任一项所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，还包括：
除渣灰化步骤，是继所述曝光和显影步骤后，使用干刻设备，对所述曝光和显影步骤处理后的平坦化层进行除渣和灰化处理。
7.如权利要求1～5任一项所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
分两次或三次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤。
8.如权利要求6所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
分两次或三次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤。
9.如权利要求1～5任一项所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，每次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤中的涂胶厚度为1μm～1.5μm。
10.如权利要求6所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，每次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤中的涂胶厚度为1μm～1.5μm。
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