[发明专利]OLED像素电路在审
申请号: | 201310596946.4 | 申请日: | 2013-11-22 |
公开(公告)号: | CN104658470A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 钟明达 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 201508 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 像素 电路 | ||
技术领域
本发明涉及电路结构技术领域,特别涉及应用于显示器的电路结构技术领域,具体是指一种OLED像素电路。
背景技术
现有的OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)像素电路如图1所示,OLED像素电路时序图如图2所示。在发光阶段中,前一行扫描线的扫描信号scan[n-1]处于高电平,连接于电容C1的晶体管T6关断。此时晶体管T6产生的漏电流Ioff会造成电容C1的电位损失,由此会产生像素颜色不均,进而对显示器的整体显示效果产生负面影响。
发明内容
本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点,提供一种能够有效控制晶体管漏电流的产生,避免电容电位流失,从而使像素颜色均匀,进而保证显示器的整体显示效果,且结构简单,成本低廉,应用范围较为广泛的OLED像素电路。
为了实现上述的目的,本发明的OLED像素电路具有如下构成:
该OLED像素电路形成于由多列数据线、多行扫描线及多行发光线所限定的像素阵列中,所述的像素阵列包括多个像素。所述的OLED像素电路包括:有机发光元件、七个晶体管以及一个电容。
其中,第一晶体管用以在所述扫描线的扫描信号驱动下传递所述的数据线的数据信号电压;第二晶体管用以在所述的数据信号电压的驱动下产生驱动电流;第三晶体管用以检测所述的第二晶体管的阈值电压偏差并进行补偿;第四晶体管用以在所述发光线的发光信号驱动下向所述的第二晶体管提供电源电压;第五晶体管串联于所述的第二晶体管与有机发光元件之间,用以在所述发光信号驱动下向所述的有机发光元件提供由第二晶体管产生的驱动电流;第一电容用以存储所述的数据信号电压并向所述的第二晶体管传递该数据信号电压;第六晶体管用以在前一行扫描线的扫描信号驱动下放电所述的第一电容;第七晶体管以二极管形式串联于所述的第一电容与所述的第六晶体管之间,用以控制所述的第六晶体管关断时产生的漏电流。
该OLED像素电路中,所述的第六晶体管为P沟道场效应晶体管,其栅极连接所述的前一行扫描线的扫描信号,其漏极连接初始化电压;且所述的第七晶体管为P沟道场效应晶体管,其源极连接于所述的第一电容的一端,其栅极与其漏极相互连接并连接于所述的第六晶体管的源极。
该OLED像素电路中,所述的第一晶体管为开关晶体管,该开关晶体管为P沟道场效应晶体管,其栅极连接所述的扫描线扫描信号,其源极连接所述的数据线数据信号电压,其漏极连接所述的第二晶体管。
该OLED像素电路中,所述的第二晶体管为驱动晶体管,该驱动晶体管为P沟道场效应晶体管,其栅极连接所述的第一电容的一端,其源极连接所述的第一晶体管的漏极,其漏极通过所述的第五晶体管连接所述的有机发光元件。
该OLED像素电路中,所述的第三晶体管为阈值补偿晶体管,该阈值补偿晶体管为P沟道场效应晶体管,其栅极连接所述的扫描线扫描信号,其源极连接于所述的第二晶体管的漏极,其漏极连接于所述的第二晶体管的栅极,用以在所述的扫描信号的驱动下,将所述的第二晶体管连接为二极管形式,并对第二晶体管阈值电压偏差进行补偿。
该OLED像素电路中,所述的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管均为薄膜场效应晶体管。
采用了该发明的OLED像素电路,由于其包括以二极管形式串联于第一电容与第六晶体管之间的第七晶体管,从而在发光阶段能够有效控制第六晶体管关断时漏电流的产生,避免第一电容电位流失,从而使像素颜色均匀,进而保证显示器的整体显示效果,且本发明的OLED像素电路,其结构简单,成本低廉,应用范围较为广泛。
附图说明
图1为现有中的OLED像素电路示意图。
图2为OLED像素电路时序图。
图3为本发明的OLED像素电路示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的技术内容,特举以下实施例详细说明。
请参阅图3所示,为本发明的OLED像素电路示意图。
在一种实施方式中,该OLED像素电路形成于由多列数据线、多行扫描线及多行发光线所限定的像素阵列中,所述的像素阵列包括多个像素。该OLED像素电路由有机发光元件EL1、七个薄膜场效应晶体管T1~T7以及第一电容C1组成。
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