[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包含：

半导体叠层具有一第一表面、一第二表面相对于该第一表面以及一侧边，其中该第一表面包含多个突出部与多个凹部；

第一电极位于该第一表面上与该半导体叠层电连接；

第二电极位于该第一表面上与该半导体叠层电连接且包含一连接部位于该侧边；以及

透明导电层共形地覆盖该第一表面，且位于该第一电极与该半导体叠层之间，

其中该第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，该第一延伸部位于该第一焊接部与该透明导电层之间，且共形地覆盖该透明导电层。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含一绝缘层覆盖该第一延伸部以及该侧边，且位于该第一延伸部与该第一焊接部之间。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该第一电极还包含一连接部电连接该第一焊接部与该第一延伸部。

4.如权利要求3所述的半导体发光元件，该第一电极的该连接部位于该半导体叠层的另一侧边相对于该侧边。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中每一个所述多个突出部包含一平台与一斜边，且该斜边具有一角度介于15度与75度之间，每一个所述多个突出部的高度介于500nm～5000nm之间。

6.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含多个接触结构在所述多个突出部上，并与该半导体叠层及该透明导电层形成欧姆接触，该多个接触结构包含金(Au)、铍(Be)、锗(Ge)、镍(Ni)、钯(Pd)、锌(Zn)或其合金。

7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该第二电极包含一第二焊接部与一第二延伸部，该第二焊接部位于该第一表面上，该第二延伸部位于该第二表面上，其中该第二延伸部包含金属、氧化物或其组合。

8.如权利要求7所述的半导体发光元件，其中该第二焊接部与该第一焊接部的面积总和为半导体发光元件的面积15％～95％之间。

9.如权利要求7所述的半导体发光元件，还包含一绝缘层隔开该第二电极的该连接部及该侧边。

10.如权利要求7所述的半导体发光元件，其中该第二延伸部包含多个指状电极，所述多个指状电极分别对应于所述多个凹部，在垂直于堆叠的方向上，所述多个突出部位于不与所述多个指状电极相重叠的区域。