[发明专利]多电源供电选择电路

说明书

技术领域

本发明涉及可编程器件领域，特别是涉及一种片上系统向可编程器件进行烧录时需要使用的多电源供电选择电路。

背景技术

可编程器件一般可以进行烧录，以使可编程器件按照烧录的内容执行相应的功能。当片上系统在对可编程器件进行烧录时，需要利用选择电路，例如多电源供电选择电路、可编程逻辑编程供电电路、Flash烧写供电电路、或者OTP烧写供电电路等等，以向可编程器件引入高电压从而对可编程器件进行烧录。

图1为一种现有的多电源供电选择电路的电路示意图。如图1所示，多电源供电选择电路10包括PMOS晶体管MP1、PMOS晶体管MP2、PMOS晶体管MP3、NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、电阻11、电阻12、电阻13、电阻14、负载电容15、低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)16、反相器17、电容18、烧写电源Vprog、电源VDD、电源选择信号Power_Sel。

其中，PMOS晶体管MP1的漏极电性连接烧写电源Vprog，且烧写电源Vprog与PMOS晶体管MP1的漏极之间的节点a通过电阻11接地。PMOS晶体管MP1的源极与PMOS晶体管MP2的源极电性连接在一起，且PMOS晶体管MP1的栅极与PMOS晶体管MP2的栅极电性连接在一起，而PMOS晶体管MP1的源极与PMOS晶体管MP2的源极之间的节点b通过电阻12电性连接至PMOS晶体管MP1的栅极与PMOS晶体管MP2的栅极之间的节点c。节点c通过电阻13电性连接至NMOS晶体管MN1的漏极，NMOS晶体管MN1的源极接地，而NMOS晶体管MN1的栅极电性连接电源选择信号Power_Sel。NMOS晶体管MN2的栅极通过反相器17电性连接至电源选择信号Power_Sel、其源极接地，而其漏极通过电阻14电性连接至PMOS晶体管MP2的漏极。PMOS晶体管MP3的源极电性连接至PMOS晶体管MP2的漏极，其源极电性连接至低压差线性稳压器16的输出端，且其源极进一步通过电容18而接地，而其栅极电性连接至NMOS晶体管MN2的漏极。低压差线性稳压器16的输入端电性连接电源VDD。而PMOS晶体管MP2的漏极进一步作为烧写节点flash，其通过负载电容15而接地。

当烧写电源Vprop没有加载时，节点a上的电压被电阻11拉低至地电平。此时，电源选择信号Power_Sel处于低电平，因此NMOS晶体管MN1相应地处于截止状态，而由于反相器17的作用，NMOS晶体管MN2处于导通状态。由于NMOS晶体管MN1处于截止状态，而PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2的源极与栅极通过电阻12而短接，因此PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2处于截止状态。由于PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2处于截止状态，因此其切断了烧写电源Vprop到烧写节点flash之间的通路。同时，由于NMOS晶体管MN2处于导通状态，因此PMOS晶体管MP3的栅极通过导通的NMOS晶体管MN2而接地，即PMOS晶体管MP3的栅极上的电压被拉低至地电平，则PMOS晶体管MP3处于导通状态，低压差线性稳压器16所产生的电压通过导通的PMOS晶体管MP3而传输至烧写节点flash。