[发明专利]采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法

权利要求书

1.一种采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，包括如下步骤：

步骤1：取一衬底；

步骤2：在衬底上生长缓冲层；

步骤3：利用带有纳米压印功能的原子力显微镜，在缓冲层上制备周期阵列的纳米孔洞；

步骤4：在周期阵列的纳米孔洞和缓冲层上生长纳米缓冲层；

步骤5：在纳米缓冲层上对应纳米孔洞的位置生长定位量子点；

步骤6：在定位量子点和纳米缓冲层上生长盖层，完成制备。

2.根据权利要求1所述的采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，其中衬底、缓冲层、纳米缓冲层和盖层的材料为GaAs或GaSb，所述衬底1的取向为(001)或者(111)。

3.根据权利要求2所述的采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，其中缓冲层的厚度为300—500nm，其是用于平整衬底的表面。

4.根据权利要求1所述的采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，其中该孔洞的直径为30—80nm，深度为5—20nm。

5.根据权利要求2所述的采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，其中纳米缓冲层的厚度为2-10nm，其是用于修饰压印孔洞的表面，减小机械损伤对量子点材料的外延质量的影响，同时纳米缓冲层的厚度小于纳米孔洞的深度。

6.根据权利要求1所述的采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，其中定位量子点的材料为InAs、GaSb、InGaAs或InAsP，其能带小于纳米缓冲层及盖层材料带隙，以实现对载流子的三维限制。

7.根据权利要求2所述的采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，其中盖层的厚度为30-100nm，以盖住量子点同时避免表面态的影响。