[发明专利]改善的栅极间的外延生长

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

生长在衬底上的至少两个外延生长有源区，所述外延生长有源区放置于两个栅极器件之间；以及

位于两个所述外延生长有源区之间的至少一个伪栅极；

其中，每个外延生长有源区的长度都大致相同，

位于所述栅极器件和所述伪栅极之间的所述外延生长有源区的长度选择为使得负载效应降低到阈值水平之下，并且使得所述外延生长有源区的长度在所述负载效应和静电放电性能之间折衷；

其中，所述外延生长有源区是鳍结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述集成电路器件包括骤回静电放电(ESD)器件。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：位于所述至少一个伪栅极的两侧上的衬底接触件。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：衬底接触件，位于两个伪栅极之间的外延生长有源区的中部。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述至少一个伪栅极被偏置。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述至少一个伪栅极被浮置。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，使用相同的掩模来形成所述栅极器件和所述伪栅极。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：衬底接触件，所述衬底接触件包括通过后硅化物工艺形成的硅化物层。

9.一种用于形成静电放电(ESD)器件的方法，所述方法包括：

使用外延生长工艺来形成多个有源区；以及

在所述有源区之间的间隔内形成至少两个栅极器件和至少一个伪栅极，所述栅极器件和所述伪栅极垂直于所述有源区；

其中，各有源区的长度大致相同，

选择位于所述栅极器件和所述伪栅极器件之间的有源区的长度使得将负载效应降低到阈值水平之下，并且使得所述有源区的长度在所述负载效应和静电放电性能之间折衷，所述有源区为鳍结构。

10.根据权利要求9所述的用于形成静电放电器件的方法，其中，所述静电放电器件包括骤回静电放电器件。

11.根据权利要求9所述的用于形成静电放电器件的方法，还包括：在所述至少一个伪栅极的两侧上形成衬底接触件。

12.根据权利要求9所述的用于形成静电放电器件的方法，还包括：在位于两个伪栅极之间的有源区的中部形成衬底接触件。

13.根据权利要求9所述的用于形成静电放电器件的方法，其中，所述至少一个伪栅极被偏置。

14.根据权利要求9所述的用于形成静电放电器件的方法，其中，所述至少一个伪栅极被浮置。

15.根据权利要求9所述的用于形成静电放电器件的方法，其中，使用相同的掩模来形成所述栅极器件和所述伪栅极。

16.根据权利要求9所述的用于形成静电放电器件的方法，还包括衬底接触件，所述衬底接触件包括通过后硅化物工艺形成的硅化物层。

17.一种静电放电(ESD)器件，包括：

平行排列的至少两个细长的栅极器件；

位于所述栅极器件之间并且与所述栅极器件平行排列的至少一个细长的伪栅极；以及

位于所述栅极器件和所述至少一个伪栅极之间的多个外延生长鳍式有源区，所述外延生长鳍式有源区相互之间平行排列并且与所述栅极器件垂直；

其中，位于所述栅极器件和所述伪栅极之间的所述外延生长鳍式有源区的长度选择为使得负载效应降低到阈值水平之下，并且使得所述外延生长鳍式有源区的长度在所述负载效应和静电放电性能之间折衷。