[发明专利]制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法有效
| 申请号： | 201310591094.X | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104658966B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 高k金属栅 半导体 接触孔 晶体管 层间介电层 强酸溶液 源区 金属聚集 金属栅极 清洗工艺 图案化 有效地 掉落 去除 制作 清洗 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法，包括：
a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高k金属栅晶体管；
b)在所述半导体衬底上形成覆盖所述高k金属栅晶体管的层间介电层；
c)对所述层间介电层进行图案化，以形成仅露出所述半导体衬底的表面上的有源区的第一接触孔；
d)采用强酸溶液进行清洗工艺；
e)在所述层间介电层中形成露出所述高k金属栅晶体管的栅极的第二接触孔，所述第一接触孔中与所述第二接触孔相邻的第一接触孔与所述第二接触孔连通，以形成共享接触孔。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二接触孔的底部未到达所述半导体衬底的表面。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述e)步骤包括：
在所述第一接触孔内和所述层间介电层上形成牺牲层；以及
对所述牺牲层和所述层间介电层进行图案化以形成所述第二接触孔。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法在所述e)步骤之后还包括：
进行清洗工艺，以去除所述牺牲层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述牺牲层为有机材料。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源区中的待连接区域上形成有金属硅化物。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述强酸溶液为硫酸溶液或SPM溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310591094.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阵列基板及其制作方法、显示装置
- 下一篇：通孔的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
