[发明专利]一种硅基光致发光膜制备方法在审
申请号: | 201310590042.0 | 申请日: | 2013-11-20 |
公开(公告)号: | CN104650904A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 颜奇旭;朱小庆;蒲溢 | 申请(专利权)人: | 常州华威新材料有限公司 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 213144 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光致发光 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光膜制备方法,尤其涉及一种硅基光致发光膜制备方法。
背景技术
硅酸锌是一种很好的发光基体,已经得到广泛的应用。通过在硅酸锌基体中掺入不同的杂质离子,硅酸锌可以发射出多种波长的光。掺杂的硅酸锌薄膜可以制作电致发光器件。然而目前这种硅基光致发光膜制备难度较大,而且成材率很低。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种制备简单、成材率高的硅基光致发光膜制备方法。
实现本发明目的的技术方案是:
一种硅基光致发光膜制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)配制1%醋酸锰、3%硝酸铽、1%醋酸锌和5%乙醇胺的溶液,溶剂为乙二醇甲醚;
(2)在60℃~80℃下磁力搅拌30min,冷却后放置1~3天老化,得到澄清的溶胶;
(3)用浸渍提拉法在基底上挂上一层湿膜,提拉速度由一个数字脉冲发生器和步进马达精确控制,提拉速度在1mm/min~100mm/min间可调;
(4)挂上湿膜的基底放置烘箱内,经80℃~120℃、30~60min后形成干膜,然后再放入高温炉中,在750℃~950℃温度下固相反应4~8h,形成发光膜。
上述技术方案,所述步骤(1)中的基底为硅片。
上述技术方案,所述步骤(2)中搅拌温度为70℃,冷却放置时间为2天。
上述技术方案,所述步骤(3)中提拉速度为50mm/min。
上述技术方案,所述步骤(4)中烘干温度为100℃,时间45min;高温炉温度为850℃,时间为6h。
采用上述技术方案后,本发明具有以下积极的效果:
本发明采用合适的掺杂剂、锌源和稳定剂配比,发光膜具有成材率高、完整性好、热稳定性和化学稳定性好的特点;发光膜生产工艺灵活,且制备方法简单,制备成本较低。
具体实施方式
(实施例1)
本发明具有一种硅基光致发光膜制备方法,包括以下步骤:
(1)配制1%醋酸锰、3%硝酸铽、1%醋酸锌和5%乙醇胺的溶液,溶剂为乙二醇甲醚;
(2)在60℃~80℃下磁力搅拌30min,冷却后放置1~3天老化,得到澄清的溶胶;
(3)用浸渍提拉法在基底上挂上一层湿膜,提拉速度由一个数字脉冲发生器和步进马达精确控制,提拉速度在1mm/min~100mm/min间可调;
(4)挂上湿膜的基底放置烘箱内,经80℃~120℃、30~60min后形成干膜,然后再放入高温炉中,在750℃~950℃温度下固相反应4~8h,形成发光膜。
优选地,所述步骤(2)中的基底为硅片。
优选地,所述步骤(2)中搅拌温度为70℃,冷却放置时间为2天。
优选地,所述步骤(3)中提拉速度为50mm/min。
优选地,所述步骤(4)中烘干温度为100℃,时间45min;高温炉温度为850℃,时间为6h。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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