[发明专利]一种IGBT模块的电路板有效
| 申请号: | 201310589970.5 | 申请日: | 2013-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN103594449A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
| 发明(设计)人: | 李先亮 | 申请(专利权)人: | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L25/07 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 710016 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 igbt 模块 电路板 | ||
1.一种IGBT模块的电路板,所述的IGBT模块包括至少2个IGBT模块子单元,所述的各IGBT模块子单元设置在电路板上,其特征在于,
所述的电路板为绝缘基板,所述的绝缘基板上设有模块发射极引出导电域、模块集电极引出导电域和模块栅极引出导电域,所述的各IGBT模块子单元均设有与分别与模块发射极引出导电域、模块集电极引出导电域和模块栅极引出导电域连接的子单元发射极引出点、子单元集电极引出点和子单元栅极引出点,用于各IGBT模块子单元之间的并联连接。
2.如权利要求1所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的模块发射极引出导电域、模块集电极引出导电域和模块栅极引出导电域上分别设有IGBT模块发射极引出点、IGBT模块集电极引出点和IGBT模块栅极引出点,用于IGBT模块的电气引出。
3.如权利要求1所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的各子单元发射极引出点、各子单元集电极引出点和各子单元栅极引出点分别通过弹簧针与其相对应的模块发射极引出导电域、模块集电极引出导电域和模块栅极引出导电域连接。
4.如权利要求1所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的模块发射极引出导电域、模块集电极引出导电域和模块栅极引出导电域为呈弯折形状的连续面。
5.如权利要求2所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的模块发射极引出导电域和模块栅极引出导电域位于绝缘基板的正面;所述的模块集电极引出导电域的IGBT模块集电极引出点以及与各子单元集电极引出点连接的部分导电域位于绝缘基板的正面,其余导电域位于绝缘基板的背面。
6.如权利要求1所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的模块发射极引出导电域、模块集电极引出导电域和模块栅极引出导电域采用金属镀层制作成形。
7.如权利要求6所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的金属镀层与绝缘基板边缘之间设有安全距离,所述的安全距离为0.4-1mm。
8.如权利要求6所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的金属镀层的宽度为1.5-5mm。
9.如权利要求1所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的各IGBT模块子单元包括基板,和设置在基板上的至少2个IGBT芯片和至少1个二极管芯片;所述的基板上设有具有子单元发射极引出点的子单元发射极导电域、具有子单元集电极引出点的子单元集电极导电域和具有子单元栅极引出点的子单元栅极导电域;
所述的各IGBT芯片包括发射极、集电极和栅极,所述的二极管芯片包括阳极和阴极;所述的发射极和阳极通过键合并联连接到子单元发射极导电域,所述的栅极通过键合并联连接到子单元栅极导电域,所述的集电极和阴极分别连接到子单元集电极导电域。
10.如权利要求9所述的IGBT模块的电路板,其特征在于,所述的基板为DBC基板,所述的子单元发射极导电域、子单元集电极导电域和子单元栅极导电域为DBC基板的铜层。
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