[发明专利]一维硅纳米线诱导的银纳米链的制备方法

权利要求书

1.一种一维硅纳米线诱导的银纳米链的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 

1)将硅纳米线分散于无水乙醇中形成硅纳米线分散液； 

2)将含银离子及氢氟酸的刻蚀液进行预热； 

3)将预热后的刻蚀液倒入分散液中并持续搅拌； 

4)搅拌后，对混合液进行离心，收集沉淀，即得到银纳米链。 

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)所述硅纳米线的直径约为100-500nm。 

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)所述硅纳米线为除去表面氧化层的硅纳米线，所述分散指除去表面氧化层的硅纳米线完全分散于无水乙醇中；所述除去表面氧化层的硅纳米线指，将表面覆盖氧化层的硅纳米线浸泡于质量浓度为5%-10%的氢氟酸溶液中超声分散，放置20-30min后，离心分离，收集沉淀，并用去离子水、无水乙醇冲洗，收集得到的沉淀即为除去表面氧化层的硅纳米线；所述表面覆盖氧化层的硅纳米线是以锡粉作催化剂，热蒸发一氧化硅粉末制备得到的；或以硅片为原料，刻蚀法得到的。 

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1）所述硅纳米线分散液中硅纳米线的含量为0.5-1mg/ml。 

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2)所述刻蚀液选自硝酸银溶液与氢氟酸溶液的混合溶液或醋酸银溶液与氢氟酸溶液的混合溶液，所述硝酸银溶液与氢氟酸溶液的混合溶液指指0.5-2mmol/L硝酸银溶液及3-6mol/L氢氟酸溶液的混合水溶液。 

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述刻蚀液选自1-1.5mmol/L硝酸银溶液及4-5mol/L氢氟酸溶液的混合水溶液；更优选地，所述刻蚀液选自0.5mmol/L硝酸银溶液与4.0mom/L氢氟酸溶液的混合水溶液、1mmol/L硝酸银溶液与4.5mom/L氢氟酸溶液的混合水溶液或1.5mmol/L硝酸银溶液与5.0mom/L氢氟酸溶液的混合水溶液。 

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3)所述预热温度为30-60℃；优选地，所述预热温度为40-50℃；更有选地，所述预热温度为40℃、45℃或50℃。 

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3)所述搅拌温度为15℃-25℃；搅拌时间为1min-5min；所述搅拌时间为2-3min。 

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤4)所述混合液离心条件为，将混合液在8000r/min转速下离心3min，使银纳米链从溶液体系中分离出来。然后将银纳米链依次用去离子水超声冲洗3次，再用无水乙醇超声冲洗3次，每次冲洗后溶液均在8000r/min转速下离心5min，收集每次离心得到的固体产物，即得一维硅纳米线诱导的银纳米链。 

10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于：所述制备得到的银纳米链长度及走向可根据硅纳米线的长度及排列方式而调整，其宽度为100-200nm,银纳米链中的金属颗粒的尺寸为50-100nm，相邻颗粒间距<10nm。