[发明专利]具有浮结结构的IGBT无效
| 申请号： | 201310589366.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103594503A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 曹琳 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 结构 igbt | ||
【权利要求书】：
1.一种具有浮结结构的IGBT，所述IGBT包括漂移区、位于所述漂移区上方的p型区及n型区、位于所述漂移区下方的缓冲层、以及位于所述缓冲层下方的注入层，其特征在于，所述漂移区内形成有若干浮结。
2.根据权利要求1所述的具有半超结结构的IGBT，其特征在于，所述浮结在漂移区通过离子注入的方法形成。
3.根据权利要求1所述的具有半超结结构的IGBT，其特征在于，所述漂移区为n掺杂，浮结为p型浮结。
4.根据权利要求1所述的具有半超结结构的IGBT，其特征在于，所述若干浮结水平排列设置于漂移区内。
5.根据权利要求1所述的具有半超结结构的高压IGBT，其特征在于，所述缓冲层为n型区，所述注入层为p型区。
6.根据权利要求5所述的具有半超结结构的高压IGBT，其特征在于，所述注入层为p+掺杂。
7.根据权利要求3所述的具有半超结结构的高压IGBT，其特征在于，所述漂移区为n-掺杂，浮结为p+浮结。
8.根据权利要求1所述的具有半超结结构的高压IGBT，其特征在于，所述漂移区上方n型区两端分别设有发射极和栅极，所述注入层的下方设有集电极。
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