[发明专利]一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法

权利要求书

1.一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:

a)对硅深腔构件(1)内表面进行清洗去除硅深腔构件(1)内表面的污物，然后将硅深腔构件(1)内表面进行改性处理；

b)混合聚二甲基硅氧烷的基质与固化剂，配置聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)；

c)将配置好的聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)倒入硅深腔构件(1)内，让聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)在硅深腔构件(1)顶部自流平，填满硅深腔构件(1)；之后将填充有聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)的硅深腔构件(1)放入真空室中进行脱气处理，让硅深腔构件内(1)的气体充分释放，使聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)与硅深腔构件(1)内表面紧密接触；

d)将硅深腔构件(1)放入热板内烘烤，让聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)成型；

e)将成型后的聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)从硅深腔构件(1)内脱出，得到凸起的具有硅深腔构件内表面形貌的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)；

f)使用显微成像装置对聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)的外部形貌参数进行检测；

g)对检测后得到的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)的外部形貌参数进行反推运算，即得到硅深腔构件(1)内表面的形貌参数。

2.根据权利要求1所述的一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，其特征在于，使用体积比为3:1的浓硫酸与双氧水的混合溶液对硅深腔构件(1)内表面进行清洗。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷的基质与固化剂的质量比为10:1。