[发明专利]一种摄像头保护电路无效
申请号: | 201310587311.8 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103729006A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 黄友华 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 摄像头 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及摄像头领域,更具体的说是涉及一种摄像头保护电路。
背景技术
摄像头作为一视频输入设备,被广泛应用到各个方面,譬如视频会议、远程监控、感情的沟通等。其作为受电设备,其开关电源开始工作时,会产生浪涌电路,无限制的大电流将导致端口电压迅速下降,严重时会使摄像头关断,使得摄像头在接通和关断之间不断的切换,影响工作的稳定性。为了避免这种情况的发生,大多采用电路限制电路的结构对输出功率管并联一个小的采样管,其采样的精度不高,限流不稳定。
发明内容
本发明提供一种摄像头保护电路,其采样精度高,且电流可调节。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种摄像头保护电路,它包括端口A、端口B和端口C,所述的端口A连接在场效应管M2的漏极上,所述的端口A通过电阻R5与场效应管M1的漏极相连,所述的场效应管M1的源极接地,所述的端口B连接在场效应管M2的栅极上,所述的端口B通过电阻R1同时连接在场效应管M1的栅极和三极管T1的集电极上,所述的三极管T1的发射极通过电阻R2接地,所述的三极管T1的基极连接在三极管T2的基极上,所述的端口C连接在三极管T2的集电极上,所述的三极管T2的集电极和基极之间连接有电阻R3,所述的三极管T2的发射极通过电阻R4与地连接,所述的场效应管M2的源极连接在三极管T2的发射极上,所述的场效应管M1和场效应管M2均为P型场效应管,所述的三极管T1和三极管T2均为NPN型三极管。
更进一步的技术方案是:
作为优选,所述的电阻R4的阻值小于电阻R2的阻值。
进一步的,所述的电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4均为多晶硅电阻。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明的电路包括输出功率管、采样功率管、栅源比例电阻、两路偏置电流,使得其电流采用精度高,电流可调。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的电路原理图。
图中的标号为:1、端口A;2、端口B;3、端口C。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的一种摄像头保护电路,它包括端口A、端口B和端口C,所述的端口A连接在场效应管M2的漏极上,所述的端口A通过电阻R5与场效应管M1的漏极相连,所述的场效应管M1的源极接地,所述的端口B连接在场效应管M2的栅极上,所述的端口B通过电阻R1同时连接在场效应管M1的栅极和三极管T1的集电极上,所述的三极管T1的发射极通过电阻R2接地,所述的三极管T1的基极连接在三极管T2的基极上,所述的端口C连接在三极管T2的集电极上,所述的三极管T2的集电极和基极之间连接有电阻R3,所述的三极管T2的发射极通过电阻R4与地连接,所述的场效应管M2的源极连接在三极管T2的发射极上,所述的场效应管M1和场效应管M2均为P型场效应管,所述的三极管T1和三极管T2均为NPN型三极管。本发明连接在摄像头的电源供给端口上,在本发明中,场效应管M1为采用功率管,场效应管M2为输出功率管,场效应管M1和场效应管M2组成共栅共源电路,其作为三极管T1和三极管T2组成放大器的有源负载。电阻R3为三极管T2提供导通压降,电阻R5起限流作用,对场效应管M1进行保护。采样电流经电阻R4转换为采用电压,通过三极管T2基极镜像到三极管T1,调节三极管T1集电极电压,即可调节输出功率管的栅极电压达到控制输出电流大小的目的。比例电阻R2的电流会随着输出功率管栅极电压的变化而变化,保证场效应管M1栅源电压和场效应管M2栅源电压一致,从而达到精确采用电流的目的,使得该电路对电流的采用精度得到提高。
为了进一步的提高本电路的精确度,所述的电阻R4的阻值小于电阻R2的阻值。电阻R4为低阻值电阻,为栅源比例电阻,电阻R4的阻值小于电阻R2的阻值可有效的增强其对电路的采样精度。
所述的电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4均为多晶硅电阻。电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4均采用多晶硅电阻,可增强其匹配性,使得精度高。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化,凡是与本发明具有相同或相近的技术方案,均落入本发明的保护范围之内。
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