[发明专利]用于探测X射线与γ射线瞬时电离辐射环境探测器

权利要求书

1.一种用于探测X射线与γ射线瞬时电离辐射环境探测器，其特征在于：包括开关型晶体管、电阻；晶体管集电极接电源端，晶体管基极与发射极互连，晶体管发射极与电阻连接，电阻地连接。

2.根据权利要求1所述的用于探测X射线与γ射线瞬时电离辐射环境探测器，其特征在于：所述开关型晶体管的结面积根据下述模型确定：

ipp=qg0D·rA[Wm+Lnerf(t/τn)+Lperf(t/τp)],0≤t≤T]]>

ipp=qg0D·rA{Ln[erf(t/τn)-erf((t-T)/τp)]+Lp[erf(t/τn)-erf((t-T)/τp)]},t>T]]>

i_sp=βi_pp

其中，i_pp为瞬时电离辐射与开关型晶体管作用产生的光电流，

q为电子电荷，q=1.6×10^-19c，

g₀为电子与空穴产生率，g₀等于rad(Si)/s条件下产生4×10¹³对/cm³电子与空穴，

为设定的瞬时电离辐射剂量率，

t为设定的瞬时电离辐射时间长度，

A为开关型晶体管的结面积，

W_m为开关型晶体管空间电荷区宽度，

L_n，L_p为开关型晶体管空穴与电子扩散长度，

τ_n，τ_p为空穴与电子少子寿命，

T为瞬时电离辐射脉冲宽度，

β为开关型晶体管交流放大系数，

i_sp为将瞬时电离辐射与开关型晶体管产生的很弱的光电流放大后的电流。