[发明专利]包括凹槽中的应力源的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括有源区；

栅电极，其在所述有源区上；

隔离物，其位于所述栅电极的侧部上；

沟槽，其在与所述栅电极的侧部相邻的所述有源区中，其中所述沟槽包括所述有源区的凹口部分；

轻掺杂漏极，其在与所述栅电极的侧部相邻的所述有源区中；

晕环，其形成在所述有源区中，并且覆盖所述轻掺杂漏极的侧面和底部；

嵌入式应力源，其在所述沟槽中；以及

快刻蚀区，其在所述轻掺杂漏极与所述嵌入式应力源之间，其中所述快刻蚀区包括磷，

其中分别形成所述轻掺杂漏极与所述嵌入式应力源，

其中所述隔离物包括位于所述栅电极的侧壁上的第一隔离物、位于所述第一隔离物上的第二隔离物和位于所述第二隔离物上的第三隔离物，

其中所述嵌入式应力源包括下部半导体层以及位于所述下部半导体层上的上部半导体层，所述下部半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层在所述沟槽的表面与所述第一半导体层之间，

其中所述第二半导体层与所述第一隔离物接触，

其中所述上部半导体层的第一宽度窄于所述下部半导体层的第二宽度，并且所述上部半导体层的侧表面的对准线偏移于所述下部半导体层的外侧表面，并且

其中所述上部半导体层的最上表面高于所述有源区的最上表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述下部半导体层包括硅锗层，所述上部半导体层包括硅层或硅锗层；并且

所述下部半导体层的锗浓度大于所述上部半导体层的锗浓度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一半导体层包括硼和锗；并且

所述第一半导体层的锗浓度大于所述第二半导体层的锗浓度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上部半导体层的最下部分低于所述下部半导体层的最上表面，并且其中所述下部半导体层的最上表面高于所述有源区的最上表面。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述下部半导体层与所述上部半导体层的侧部和底部接触。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述隔离物在所述上部半导体层与所述栅电极之间，其中所述下部半导体层与所述隔离物的侧部和底部接触，并且所述上部半导体层与所述隔离物分隔开。

7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

附加隔离物，其在所述上部半导体层与所述栅电极之间，其中所述附加隔离物与所述下部半导体层的最上表面和所述上部半导体层的侧部接触。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述上部半导体层的最下部分低于所述附加隔离物的最下表面。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述轻掺杂漏极包括硼和磷，并且所述轻掺杂漏极的磷浓度的范围是5E18原子/cm³至1E19原子/cm³。