[发明专利]晶圆正面的器件图形与背面的背孔对准的检测方法在审
| 申请号: | 201310582610.2 | 申请日: | 2013-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN104655006A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
| 发明(设计)人: | 刘国安;徐伟;刘煊杰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G01B11/00 | 分类号: | G01B11/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 正面 器件 图形 背面 对准 检测 方法 | ||
1.一种晶圆正面的器件图形与背面的背孔对准的检测方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,所述晶圆具有正面和背面;
在所述晶圆的正面形成绝缘层;
在所述绝缘层上表面形成检测标记,所述检测标记与绝缘层之间具有色差;
在所述绝缘层上形成器件图形,所述器件图形与绝缘层接触的下表面边界和所述检测标记在垂直于晶圆正面方向上具有第一对准位置;
在所述晶圆的背面形成背孔,所述背孔露出绝缘层;
使用光学显微镜通过背孔开口观察,得到所述背孔底部边界和所述检测标记在垂直于晶圆正面方向上的第二对准位置,当所述第二对准位置和所述第一对准位置相同,则判定器件图形和背孔在垂直于晶圆正面方向上对准,当所述第二对准位置和所述第一对准位置不相同,则判定器件图形和背孔在垂直于晶圆正面方向上未对准。
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述检测标记的形状和器件图形下表面的部分边界线或全部边界线形状相同,所述第一对准位置为器件图形下表面边界和相邻的检测标记之间的第一对准距离,所述第二对准位置为背孔和相邻的检测标记在平行于绝缘层上表面的同一平面上的投影之间的第二对准距离;
所述第二对准位置和所述第一对准位置相同是指,所述第二对准距离和第一对准距离相等;所述第二对准位置和所述第一对准位置不相同是指,所述第二对准距离和第一对准距离不相等。
3.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述第一对准距离为0。
4.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述检测标记关于器件图形下表面的中心呈对称分布。
5.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述检测标记包括呈十字相对的两组刻度线,分别为第一组刻度线和第二组刻度线;
所述第一组刻度线包括十字的一条直线上的多条相互隔开的第一刻度线,所述第二组刻度线包括十字的另一条直线上的多条相互隔开的第二刻度线;
所述十字的交点位于器件图形下表面的边界范围内,所述器件图形下表面边界在所述第一组刻度线上具有两个第一交点,在所述第二组刻度线上具有两个第二交点,所述第一对准位置为第一交点到十字的交点的第一距离和第二交点到十字的交点的第二距离;
所述背孔底部边界在所述第一组刻度线上具有两个第三交点,在所述第二组刻度线上具有两个第四交点,所述第二对准位置为第三交点到十字的交点的第三距离和第四交点到十字的交点的第四距离;
将所述第一距离和第三距离进行比较,将所述第二距离和第四距离进行比较:
当所述第一距离和第三距离相同,且所述第二距离和第四距离相同,判定所述第二对准位置和第一对准位置相同;
当所述第一距离和第三距离不相同,且所述第二距离和第四距离相同,或者所述第一距离和第三距离相同,且所述第二距离和第四距离不相同,或者所述第一距离和第三距离不相同,且所述第二距离和第四距离不相同,则判定所述第二对准位置和第一对准位置不相同。
6.如权利要求5所述的检测方法,其特征在于,所述第一组刻度线关于十字的交点对称分布。
7.如权利要求5或6所述的检测方法,其特征在于,所述第二组刻度线关于十字的交点对称分布。
8.如权利要求5所述的检测方法,其特征在于,相邻两第一刻度线之间的距离相等。
9.如权利要求5或8所述的检测方法,其特征在于,相邻两第二刻度线之间的距离相等。
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