[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

液晶显示器是一种平面超薄的显示设备，其主要包括背光模组和显示面板等结构。其中，背光模组为显示面板提供光线，显示面板显示画面。在实际应用过程中，背光模组发射出的光线仅有小部分可以透过显示面板，光线的利用率很低，要保证液晶显示器具有较高的亮度，需要较大的耗电量。

显示面板上设置的像素包括透光区域和不透光区域，透光区域主要包括像素电极所在的区域，不透光区域主要包括数据线、栅线和薄膜晶体管等所在的区域。透光区域的面积与像素的面积的比值为开口率。开口率越大，液晶显示器对光线的利用率越高。因此，可以通过提高开口率的方法来提高光线的利用率，从而在较小的耗电量的情况下，使液晶显示器具有较高的亮度。通常，对开口率产生影响的因素包括栅线线宽、数据线线宽、黑矩阵线宽以及像素设计结构，而在高分辨率产品中，像素间距较小，栅线线宽、数据线线宽、黑矩阵线宽对开口率影响很大，因此可以通过细化数据线或者栅线的方法来减小不透光区域的面积，从而提高开口率。

目前，现有技术中一般采用湿法刻蚀的方法制作数据线和栅线，当开口率较大，数据线和栅线的线宽较小时，在刻蚀过程中，容易出现数据线断线和栅线断线的问题，降低了液晶显示器的良品率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够使开口率较大的同时，不易出现数据线断线或者栅线断线的问题，提高了液晶显示器的良品率。

为解决上述技术问题，本发明的第一方面提供了一种阵列基板，该阵列基板采用如下技术方案：

一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的纵横交叉的第一导线和第二导线，其特征在于，所述第一导线和/或所述第二导线包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分下方，所述第一部分为导电的金属氧化物，所述第二部分为金属。

进一步地，所述阵列基板还包括阵列式排列的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极和所述第一导线同层设置且一体成型，所述源极、所述漏极和所述第二导线同层设置且一体成型。

进一步地，所述第一部分的金属氧化物为氧化锌、铟镓锌氧化物、氮氧化锌、氧化铟、氧化锡中的一种；所述第二部分的金属为铜、铝、银、钼、铬、钕、镍、锰、钛、钽、钨中的一种，或者为铜、铝、银、钼、铬、钕、镍、锰、钛、钽、钨中至少两种组成的合金。

进一步地，所述第一部分的厚度为

进一步地，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

进一步地，所述第二部分位于所述第一部分的中部，所述第一部分的两侧为与所述第一部分同种材料经等离子体或者离子注入处理得到的绝缘体。

本发明实施例提供的阵列基板上的第一导线或者第二导线由下至上依次包括第一部分和第二部分，在阵列基板的制作过程中，当采用湿法刻蚀的方法制作线宽较小的第一导线或者线宽较小的第二导线时，即使第一导线或者第二导线的第二部分被刻蚀断开，第一部分仍然电连接，因此不易出现第一导线或者第二导线断线的问题，提高了液晶显示器的良品率。而且，第一部分和第二部分并联作为第一导线或者第二导线，降低了第一导线或者第二导线的电阻，提高了液晶显示器的显示效果。

本发明的第二方面还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的阵列基板。

本发明的第三方面还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法采用如下技术方案：

一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的纵横交叉的第一导线和第二导线，包括：

在所述衬底基板上由下至上依次形成所述第一导线和/或所述第二导线的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分为导电的金属氧化物，所述第二部分为金属。

进一步地，所述的阵列基板的制作方法包括：

在所述衬底基板上，由下至上依次形成包括第一导线的第一部分的图形和包括第一导线的第二部分的图形，以形成包括所述第一导线和栅极的图形；

在形成的包括所述第一导线和所述栅极的图形上，形成栅极绝缘层；

在形成的所述栅极绝缘层上，形成包括有源层的图形；

在形成的所述包括有源层的图形上，由下至上依次形成包括第二导线的第一部分的图形和包括第二导线的第二部分的图形，以形成包括所述第二导线、源极和漏极的图形。

进一步地，所述的阵列基板的制作方法包括：

在所述衬底基板上，形成包括有源层的图形；