[发明专利]一种锑铝酸盐发光薄膜及其制备方法和应用在审
申请号: | 201310580929.1 | 申请日: | 2013-11-18 |
公开(公告)号: | CN104650893A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 周明杰;陈吉星;王平;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | C09K11/75 | 分类号: | C09K11/75;H01L33/50 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锑铝酸盐 发光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种锑铝酸盐发光薄膜,其特征在于,结构式为MeSb2AlO8:xEu3+,其中,Me为Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.06。
2.如权利要求1所述的锑铝酸盐发光薄膜,其特征在于,x的取值为0.03。
3.一种锑铝酸盐发光薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
以摩尔比为1:2:1:x的β二酮ⅢA族金属盐、三甲基锑、β二酮铝和四甲基庚二酮酸铕为反应源;
在真空度为1.0×10-2~1.0×10-3Pa的气相沉积设备中,将衬底转速设置为50~1000转/分,通入含有反应源的惰性气体,气流量为5~15sccm,再通入氧气,在所述衬底上沉积得到所述锑铝酸盐发光薄膜;
所述锑铝酸盐发光薄膜的结构式为MeSb2AlO8:xEu3+,其中,Me为Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.06。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,x的取值为0.03。
5.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述β二酮ⅢA族金属盐为β二酮镓、β二酮铟、β二酮铊。
6.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述氧气的气流量为10~200sccm。
7.一种薄膜电致发光器件,包括衬底、发光层和阴极,其特征在于,所述发光层的材质为锑铝酸盐发光薄膜,所述锑铝酸盐发光薄膜的结构式为结构式为MeSb2AlO8:xEu3+,其中,Me为Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.06。
8.如权利要求7所述的薄膜电致发光器件,其特征在于,x的取值为0.03。
9.一种薄膜电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供清洁的衬底;
以摩尔比为1:2:1:x的β二酮ⅢA族金属盐、三甲基锑、β二酮铝和四甲基庚二酮酸铕为反应源;
在真空度为1.0×10-2~1.0×10-3Pa的气相沉积设备中,将衬底转速设置为50~1000转/分,通入含有反应源的惰性气体,气流量为5~15sccm,再通入氧气,在所述衬底上沉积得到所述锑铝酸盐发光薄膜,所述锑铝酸盐发光薄膜的结构式为MeSb2AlO8:xEu3+,其中,Me为Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.06;
继续通入氧气,待冷却后在所述发光薄膜上蒸镀阴极;
以上步骤完成后,得到所述薄膜电致发光器件。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,x的取值为0.03。
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