[发明专利]铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯在审
| 申请号： | 201310579355.6 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103585884A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 易志国;张耀红;江琳沁;陈绪兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | B01D53/86 | 分类号： | B01D53/86;B01D53/72 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 钒酸钇 半导体 用于 光催化 降解 乙烯 | ||
【权利要求书】：
1.铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述铋掺杂的钒酸钇半导体化学式为BixYyVOz，其中0.05≦x≦0.25，0.75≦y≦0.95，3.95≦z≦4.05。
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