[发明专利]聚ε-己内酯/聚（β-羟基丁酸-戊酸酯）共混膜及其制备方法

权利要求书

1.一种聚ε-己内酯/聚（β-羟基丁酸-戊酸酯）共混膜，其特征在于：所述膜为经γ射线或电子加速器产生的电子束辐照改性后的膜，其中，辐照剂量为2～70kGy；膜的厚度为20～200μm，以所述膜的总质量为100%计，其中各组分及质量百分数如下：

聚ε-己内酯              20～80%，

聚（β-羟基丁酸-戊酸酯） 20～80%。

2.一种如权利要求1所述的聚ε-己内酯/聚（β-羟基丁酸-戊酸酯）共混膜的制备方法，其特征在于：步骤如下：

（1）将聚ε-己内酯溶于溶剂中，得到溶液1；将聚（β-羟基丁酸-戊酸酯）溶于溶剂中，得到溶液2；

（2）将溶液1和溶液2混合至无浑浊得到混合溶液3；

（3）将混合溶液3浇铸在玻璃板上，用玻璃棒刮其表面使厚度均匀，待溶剂挥发后成膜，45℃下真空干燥至恒重得到共混膜；

（4）将步骤（3）中得到的共混膜用核辐射源所产生的γ射线或电子加速器产生的电子束辐照，辐照剂量为2～70kGy，即得到所述的聚ε-己内酯/聚（β-羟基丁酸-戊酸酯）共混膜；

其中，所述溶剂为常用有机溶剂；

步骤（1）中溶剂的用量以能够完全溶解聚ε-己内酯和聚（β-羟基丁酸-戊酸酯）为准；

步骤（4）中核放射素源为单一辐射源，包括：⁶⁰Co或Cs-137。

3.根据权利要求2所述的聚ε-己内酯/聚（β-羟基丁酸-戊酸酯）共混膜的制备方法，其特征在于：所述溶剂为三氯甲烷。