[发明专利]数据储存装置及其制作与控制方法

说明书

技术领域

本发明是有关于数据储存装置，且特别有关于快闪存储器技术的数据储存装置及其制作与控制方法。

背景技术

快闪存储器为常见的非挥发性储存媒体，且主要用来实现数据储存装置，如，存储卡、通用串行总线快闪存储器装置、固态硬盘等。

传统快闪存储器包括多个存储器区块(blocks)。一物理区块(physical block)中的所有存储单元设置在一井结构(well)中，共享井控制信号。各物理区块有专用的多条位线(bit lines)以及字线(word lines)。各存储单元坐落在位线与字线交错处，以进行编址。存储器密度越高，对应的阵列解码器会占据整体芯片更高比例的空间。降低阵列解码器所占空间的一方式是提升物理区块尺寸，以求减少解码器数量。然而，以上方式涉及多种技术问题，包括：次区块(sub-block)抹除时间会增加；各物理区块内的存储单元均一性不易控制；且解码器内部布局拥挤。此外，写入与抹除干扰(program/erase disturbance)也是电路设计中需考量的问题。

发明内容

本发明揭露一种数据储存装置、以及该种类数据储存装置的制作以及控制方法，用于解决在进行抹除步骤时，次区块会被目标次区块所干扰的问题。

根据本发明一种实施方式所实现的数据储存装置包括一第一次区块、一第二次区块、一第一井开关、一第二井开关以及一第一字线群。该第一井开关用于传递一第一井偏压作该第一次区块的偏压。该第二井开关用以传递一第二井偏压作该第二次区块的偏压。该第一次区块以及该第二次区块共同由该第一字线群控制。

本发明一种实施方式所揭露的数据储存装置制作方法包括以下步骤：于一第一井结构制作一第一次区块；于有别于该第一井结构的一第二井结构制作一第二次区块；制作一第一井开关，用以传递一第一井偏压作该第一次区块的偏压；制作一第二井开关，用以传递一第二井偏压作该第二次区块的偏压；以及，制作一第一字线群。该第一次区块以及该第二次区块共同由该第一字线群控制。

根据本发明一种实施方式，一数据储存装置控制方法包括以下步骤：在对一数据储存装置内的一第一次区块执行一抹除步骤时，以一抹除用栅极电位控制一第一字线群，且以一抹除用井电位控制一第一井偏压，其中，该第一次区块是由该第一字线群控制且由该第一井偏压作偏压；且，在对该第一次区块执行该抹除步骤时，还以一抹除保护电位控制一第二井偏压。该第二井偏压用于偏压该数据储存装置内的一第二次区块，并且，该第二次区块与该第一次区块共同由该第一字线群控制。

就采用相同尺寸位元解码器的相同尺寸存储器来说，相较于传统井结构，本案所揭露的井结构在进行抹除操作时只有少量的次区块受到干扰。因此，本发明所揭露技术可有效降低前程序化、抹除以及后程序化步骤中所干扰的次区块数量，并进一步减少重刷新程序化步骤修复受干扰次区块的时间。

下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明本发明内容。

附图说明

图1图解根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置100；

图2为根据本发明的存储器次区块的抹除操作的流程图；

图3为依照图2所示的抹除步骤S204操作的数据储存装置100的操作状态示意图；

图4为依照图2所示的前程序化步骤S202操作的数据储存装置100的操作状态示意图；且

图5为依照第2图所示的后程序化步骤S206操作的数据储存装置100的操作状态示意图。

符号说明：

100～数据储存装置；

102～字线解码器；

104～位线解码器；

302、304、306、308～抹除步骤下，不同存储单元的受压状况；

402、404～前程序化步骤下，不同存储单元的受压状况；

502、504～后程序化步骤下，不同存储单元的受压状况；

BL1、BL2～位线群；

Sub_Block_11…Sub_Block_24～次区块；

S202…S208～步骤；

Vwell_1、Vwell_2～井偏压；

Well_1、Well_2～井结构；

Well_Switch_1、Well_Switch_2～井开关；

WL1…WL4～字线群。

具体实施方式