[发明专利]铈掺杂硫代钼酸盐发光材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种铈掺杂硫代钼酸盐发光材料，其特征在于：其化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基质，Ce³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种。

2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于：所述x为0.02。

3.一种铈掺杂硫代钼酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据MeMo₂S₈:xCe³⁺各元素的化学计量比称取MeS，MoS₃和CeS₂粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种；及

将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺的铈掺杂硫代钼酸盐发光材料。

4.一种铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜，其特征在于，该铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜的材料的化学通式为MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基质，Ce³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种。

5.一种铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据MeMo₂S₈:xCe³⁺各元素的化学计量比称取MeS，MoS₃和CeS₂粉体并混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时得到靶材，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种；

将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为50mm～100mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4.5Pa，工作气体的流量为15sccm～30sccm，衬底温度为250℃～750℃，接着进行制膜，得到化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺的铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜。

6.根据权利要求5所述的铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，还包括步骤：将所述铈掺杂硫代钼酸盐发光薄膜于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h。

7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铈掺杂硫代钼酸盐发光材料，该铈掺杂硫代钼酸盐发光材料的化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基质，Ce³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种。

8.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈掺杂硫代钼酸盐发光材料，该铈掺杂硫代钼酸盐发光材料的化学式为MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基质，Ce³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，Me为锌元素、镁元素、钙元素，锶元素和钡元素中的一种；

在所述发光层上形成阴极。