[发明专利]半导体封装件的制法有效
| 申请号： | 201310577849.0 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104637855B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林畯棠;詹慕萱;纪杰元 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制法 | ||
1.一种半导体封装件的制法，其包括：
提供一封装结构，其包含承载件、设于该承载件上的至少一半导体组件、及形成于该承载件上且包覆该半导体组件的封装材；
结合一承载结构于该封装结构的封装材上，该承载结构包含以结合层结合于该封装材上的支撑件、及设于该支撑件上的应力缓冲材，使该应力缓冲材与该封装材之间藉由该支撑件作支撑；以及
移除该封装结构的承载件，且于移除该承载件后，移除该承载结构的支撑件及应力缓冲材。
2.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该半导体组件具有相对的主动面与非主动面，该主动面上具有多个电极垫，且该半导体组件以其主动面结合于该承载件上。
3.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该封装材以压合或模压方式形成于该承载件上。
4.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该应力缓冲材与该封装材为相同材质。
5.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该应力缓冲材与该封装材为不同材质。
6.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，藉由调整该承载结构的厚度，以于移除该承载件后，使该封装材保持应力平衡。
7.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于移除该承载件后，形成一线路重布结构于该封装材与该半导体组件上，且该线路重布结构电性连接该半导体组件。
8.根据权利要求书7所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成该线路重布结构后，移除该承载结构的支撑件及应力缓冲材。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司，未经矽品精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310577849.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法
- 下一篇：一种柔性基板的剥离方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
