[发明专利]复合粒子及其制造方法、压粉磁芯、磁性元件及电子设备有效
申请号: | 201310577239.0 | 申请日: | 2013-11-18 |
公开(公告)号: | CN103846427B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 大塚勇;前田优;佐藤冬乙 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | B22F1/02 | 分类号: | B22F1/02;H01F1/14;H01F27/255 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 粒子 及其 制造 方法 压粉磁芯 磁性 元件 电子设备 | ||
1.一种复合粒子,其特征在于,所述复合粒子具有由软磁性金属材料形成的粒子和以覆盖所述粒子的方式熔接、由与所述粒子组成不同的软磁性金属材料形成的被覆层,
形成所述粒子的软磁性金属材料和形成所述被覆层的软磁性金属材料分别是结晶态金属材料,
通过X射线衍射法测量的所述粒子的平均结晶粒径为通过X射线衍射法测量的所述被覆层的平均结晶粒径的0.2倍以上0.95倍以下,
在将所述粒子的维氏硬度设为HV1,将所述被覆层的维氏硬度设为HV2时,具有100≤HV1-HV2的关系,
在将所述粒子的投影面积圆相当直径的一半设为r,将所述被覆层的平均厚度设为t时,具有0.05≤t/r≤1的关系,
所述t是40μm以上90μm以下。
2.根据权利要求1所述的复合粒子,其特征在于,所述复合粒子具有250≤HV1≤1200以及100≤HV2<250的关系。
3.根据权利要求1所述的复合粒子,其特征在于,所述粒子和所述被覆层经由绝缘层而相接。
4.根据权利要求1所述的复合粒子,其特征在于,所述复合粒子以覆盖所述复合粒子整体的方式设置有绝缘层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的复合粒子,其特征在于,形成所述粒子的软磁性金属材料是Fe-Si系材料。
6.根据权利要求5所述的复合粒子,其特征在于,形成所述被覆层的软磁性金属材料为纯Fe、Fe-B系材料、Fe-Cr系材料以及Fe-Ni系材料中的任意一种。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的复合粒子,其特征在于,所述被覆层覆盖所述粒子的整个表面。
8.一种复合粒子,其特征在于,所述复合粒子具有由软磁性金属材料形成的粒子和以覆盖所述粒子的方式熔接、由与所述粒子组成不同的软磁性金属材料形成的被覆层,
形成所述粒子的软磁性金属材料是非晶态金属材料或者纳米结晶金属材料,形成所述被覆层的软磁性金属材料为结晶态金属材料,
在将所述粒子的维氏硬度设为HV1,将所述被覆层的维氏硬度设为HV2时,具有100≤HV1-HV2的关系,
在将所述粒子的投影面积圆相当直径的一半设为r,将所述被覆层的平均厚度设为t时,具有0.05≤t/r≤1的关系,
所述t是40μm以上90μm以下。
9.一种复合粒子的制造方法,其特征在于,所述复合粒子具有由软磁性金属材料形成的粒子和以覆盖所述粒子的方式熔接、由与所述粒子组成不同的软磁性金属材料形成的被覆层;形成所述粒子的软磁性金属材料和形成所述被覆层的软磁性金属材料分别是结晶态金属材料,通过X射线衍射法测量的所述粒子的平均结晶粒径为通过X射线衍射法测量的所述被覆层的平均结晶粒径的0.2倍以上0.95倍以下;在将所述粒子的维氏硬度设为HV1,将所述被覆层的维氏硬度设为HV2时,具有100≤HV1-HV2的关系;在将所述粒子的投影面积圆相当直径的一半设为r,将所述被覆层的平均厚度设为t时,具有0.05≤t/r≤1的关系,所述复合粒子的制造方法包括:
通过在所述粒子的表面上机械压接熔接比所述粒子直径小的被覆粒子而形成所述被覆层,
所述t是40μm以上90μm以下。
10.根据权利要求9所述的复合粒子的制造方法,其特征在于,以覆盖所述粒子的表面的方式,使所述被覆粒子熔接。
11.一种压粉磁芯,其特征在于,所述压粉磁芯由将复合粒子与结合所述复合粒子彼此的结合材料压缩成形而成的压粉体形成,所述复合粒子具有由软磁性金属材料形成的粒子和以覆盖所述粒子的方式熔接、由与所述粒子组成不同的软磁性金属材料形成的被覆层,
形成所述粒子的软磁性金属材料和形成所述被覆层的软磁性金属材料分别是结晶态金属材料,
通过X射线衍射法测量的所述粒子的平均结晶粒径为通过X射线衍射法测量的所述被覆层的平均结晶粒径的0.2倍以上0.95倍以下,
在将所述粒子的维氏硬度设为HV1,将所述被覆层的维氏硬度设为HV2时,具有100≤HV1-HV2的关系,
在将所述粒子的投影面积圆相当直径的一半设为r,将所述被覆层的平均厚度设为t时,具有0.05≤t/r≤1的关系,
所述t是40μm以上90μm以下。
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