[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号: | 201310572033.9 | 申请日: | 2013-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN104638141A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
| 发明(设计)人: | 周明杰;黄辉;张振华;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人: | 刘抗美;刘耿 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构为:依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层,其特征在于,所述电子注入层包括铯盐层、铷化合物掺杂层与酞菁金属化合物层;其中,
所述铯盐层的材质为氟化铯、碳酸铯、叠氮铯或氯化铯;
所述铷化合物掺杂层的材质为铷化合物与铼化合物,所述铷化合物为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷,所述铼化合物为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼;
所述酞菁金属化合物层的材质为酞菁铜、酞菁锌或酞菁镁。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述铷化合物与所述铼化合物的掺杂质量比为1:1~5:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述铯盐层的厚度为20~40nm,所述铷化合物掺杂层的厚度为20~80nm,所述酞菁金属化合物层的厚度为20~50nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,
所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;
所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-(1-萘基)- N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺;
所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝;
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;
所述阴极的材质为银、铝、铂或金。
5.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(a)在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板,再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层;
(b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的电子传输层上热阻蒸镀制备铯盐层,然后在所述铯盐层上热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层,最后在所述铷化合物掺杂层上热阻蒸镀制备酞菁金属化合物层,从而得到电子注入层;其中,
所述铯盐层的材质为氟化铯、碳酸铯、叠氮铯或氯化铯;
所述铷化合物掺杂层的材质为掺杂质量比为1:1~5:1的铷化合物与铼化合物,所述铷化合物为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷,所述铼化合物为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼;
所述酞菁金属化合物层的材质为酞菁铜、酞菁锌或酞菁镁;
(c)在步骤(b)制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层,从而得到所述的有机电致发光器件。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤(a)中,所述磁控溅射设备的加速电压为300~800V,磁场为50~200G,功率密度为1~40 W/cm2;所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1~1nm/s。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤(b)中,所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1~1nm/s,所述铯盐层的厚度为20~40nm,所述铷化合物掺杂层的厚度为20~80nm,所述酞菁金属化合物层的厚度为20~50nm。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤(c)中,所述阴极层的蒸镀速率为1~10nm/s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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