[发明专利]抑制细胞增殖并诱导其凋亡的多肽及其制备方法和用途

说明书

技术领域

本发明涉及一种作用于血管平滑肌细胞的多肽及其衍生物，具体是指一种抑制细胞增殖并诱导其凋亡的多肽及其制备方法和用途。 

背景技术

动脉粥样硬化疾病已成为危害人类健康的第一杀手，且其发病率逐年快速上升，发病年龄日益年轻化。对于严重冠状动脉粥样硬化病变通常需要进行经皮冠状动脉介入治疗（percutaneous coronary intervention，PCI），目前PCI已成为我国动脉粥样硬化疾病十分重要的治疗方法，2010年我国植入冠脉内支架数量已达30余万例，血管内支架已成为最常用的血管内植入物。在上世纪80年代末至90年代初期，经皮冠状动脉内血管成形术（Percutaneous transluminal coronary angioplasty，PTCA）是治疗冠心病的重要手段。然而，PTCA术后冠脉发生再狭窄的发生率高达30～50%，且约有20%的患者在6个月内需要再次行血运重建术。1986年金属裸支架（bare metal stent，BMS）问世，使支架术后再狭窄发生率显著降低。但由于BMS采用的支架平台为不锈钢（316L），其组织相容性相对较差，大量研究显示BMS再狭窄率高达20～30%。2003年药物洗脱支架（drug eluting stents，DES）的问世，降低了PCI术后心血管事件的发生率。第一代DES西罗莫斯洗脱（sirolimus-eluting）支架Cypher和紫杉醇洗脱（paclitaxel-eluting）支架获得了良好的早期疗效，支架术后再狭窄率降至10%左右。但由于第一代DES选用的药物细胞毒性较高，支架涂层不可吸收且组织生物相容性差，延缓支架的内皮化，具有引发晚期支架内血栓（late angiographic stent thrombosis，LAST）形成的风险。因此， 第二代DES支架平台多采用生物相容性较高的钴铬合金和药物涂层材料，并采用新的抗细胞增殖药物，如西罗莫斯衍生物佐他莫司、依维莫司、他克莫司、吡美莫司等。目前已用于临床的第二代DES主要有Endeavor支架（佐他莫司）和Xience V支架（依维莫司）。其中，Xience V支架采用的涂层药物为较低毒性的依维莫司，应用具有更好的生物相容性及药物控释功能的涂层（偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物等），涂层载药的25%于支架植入后的第一天释放，在1个月内释放75%，到达4个月时药物几乎完全释放，极少引起宿主反应，内皮细胞能快速的迁移并完全覆盖支架表面，可缩短抗血小板治疗时间半年以内，显著降低心脑血管事件发生率至6.8%。后续的SPIRIT I-IV以及FUTUREI-III等大型临床研究显示，其有效性和安全性均优于西罗莫司洗脱支架。然而，第二代DES的支架晚期血栓事件年发生率为0.4～0.6%，有一定的再狭窄发生率，依然存在很多不足。另外，药物涂层支架抑制血管平滑肌细胞增生、抑制内皮细胞愈合，导致在狭窄时间上的延迟和晚期血栓形成，易产生支架贴壁不全或产生血管瘤等，且不适合用于所有患者，包括对支架涂层药物过敏的患者，以及涂层药物局部应用的安全有效剂量和时间窗、药物代谢衰减后血管平滑肌增殖是否存在反跳现象等技术问题还有待研究。如何进一步提高抗血管再狭窄的效果成为亟待解决的问题，而要解决这些问题，重点在于优选可降解支架涂层材料和新的抗细胞增生药物，以提高第二代药物涂层支架的组织相容性和血液相容性。 

血管再狭窄是PCI引起去内皮化及机械性扩张引起血管损伤，触发血管平滑肌细胞的异常增殖和基质合成（内膜增生）。目前，临床上所应用的支架涂层药物虽然可以显著降低血管再狭窄的发生率，但总体的再狭窄发生率仍较高，治疗复杂病变，如分叉病变、慢性完全闭塞性病变的再狭窄率则更高。究其原因，可能与其主要通过抑制Ras下游的信号转导通路（如PI3K-AKT-mTOR）发挥抗细胞增殖作用有关。因此，有效的抑制局部血管平滑肌细胞增殖是 防止支架术后再狭窄的关键措施。前期的研究中首次发现线粒体融合素基因2（Mitofusin2，Mfn2，）是VSMCs胞浆中Ras蛋白的负向调控因子，通过抑制Ras-Raf-MAPK信号路径，使VSMC生长停滞于G0-G1期而抑制其增殖；通过Ras-PI3K-Akt信号传导路径而促进细胞凋亡，nature cell biology述评专家认为HSG（hyperplasia suppressor gene增殖抑制基因）可为心脑血管增生性疾病提供新的防治方法。