[发明专利]有机发光显示装置和制造它的方法无效
申请号: | 201310571210.1 | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN104103664A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 申尚煜;丁善英;李壹相;金东镇;朴镇宇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板;
在所述基板上的有机发光器,所述有机发光器包括第一电极、有机发光层和第二电极的层状结构;
第一无机膜,所述第一无机膜配置为覆盖所述有机发光器,且所述第一无机膜由第一无机混合物形成,所述第一无机混合物包括锡氧化物、磷氧化物和锡氟化物;和
第二无机膜,所述第二无机膜配置为覆盖所述第一无机膜,所述第二无机膜包括锡氧化物和磷氧化物。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一无机混合物的粘度转变温度低于所述有机发光器的变性温度。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一无机混合物包括在45至85摩尔%范围内的所述锡氧化物。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,与所述第二无机膜相比,所述第一无机膜更坚固和稠密。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一无机膜配置为覆盖环境产生要素的外表面。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,与所述第一无机膜相比,所述第二无机膜对湿气更不敏感。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一无机混合物和所述第二无机膜中各自进一步包括硼磷酸盐、铌氧化物、钨氧化物、硼氧化物和/或铅氟化物。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括:
在所述有机发光器和所述第一无机膜之间并包括有机和/或无机材料的垫层。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括:
在所述第一无机膜和第二无机膜之间并包括有机和/或无机材料的夹层。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括:
在所述有机发光器和所述第一无机膜之间并包括有机和/或无机材料的垫层;和
在所述第一无机膜和第二无机膜之间并包括有机和/或无机材料的夹层。
11.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:
在基板上形成有机发光器以包括第一电极、有机发光层和第二电极的层状结构;
由第一无机混合物形成第一无机膜并覆盖所述有机发光器,所述第一无机混合物包括锡氧化物、磷氧化物和锡氟化物;以及
由第二无机混合物形成第二无机膜并覆盖所述第一无机膜,所述第二无机膜包括锡氧化物和磷氧化物。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述形成所述第一无机膜包括:
通过在所述有机发光器上提供所述第一无机混合物而形成第一预无机膜;
在高于所述第一无机混合物的粘度转变温度并低于所述有机发光器的变性温度的温度下加热所述第一预无机膜;
凝结加热后的所述第一预无机膜以形成所述第一无机膜。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述形成所述第一预无机膜包括在溅射的过程中在所述有机发光器上提供所述第一无机混合物。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第一无机混合物包括在45至85摩尔%范围内的锡氧化物。
15.根据权利要求11所述的方法,其中,所述形成所述第二无机膜包括在溅射的过程中在所述第一无机膜上提供所述锡氧化物和所述磷氧化物。
16.根据权利要求11所述的方法,其中,与所述第一无机膜相比,所述第二无机膜对湿气更不敏感。
17.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第一无机混合物和所述第二无机膜中的各自进一步包括硼磷酸盐、铌氧化物、钨氧化物、硼氧化物和/或铅氟化物。
18.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:
在所述有机发光器和所述第一无机膜之间形成包括有机和/或无机材料的垫层。
19.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:
在所述第一无机膜和第二无机膜之间形成包括有机和/或无机材料的夹层。
20.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:
在所述有机发光器和所述第一无机膜之间形成包括有机和/或无机材料的垫层,;和
在所述第一无机膜和第二无机膜之间形成包括有机和/或无机材料的夹层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的