[发明专利]溅镀靶、透明导电膜及其制造方法，以及触控面板

权利要求书

1.一种溅镀靶，其特征在于，为掺杂杂原子之氧化锌铝所成的溅镀靶，其中所述杂原子为第2族元素、第5族元素、第10族元素或上述之组合，且所述杂原子之掺杂比例为0.5重量%至20重量%。

2.根据权利要求1所述之溅镀靶，其特征在于，所述杂原子为铍、镁、钙、锶、钡、钒、铌、钽、镍、钯、铂或上述之组合。

3.一种透明导电膜，其特征在于，为使用根据权利要求1或2所述之溅镀靶所制得者。

4.根据权利要求3所述之透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜的厚度为50nm至2000nm。

5.根据权利要求3所述之透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜之透光率大于80％。

6.根据权利要求3所述之透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜在-30℃至70℃的温度区间内之平均电阻温度系数的绝对值为0.5%/K至3%/K。

7.根据权利要求3所述之透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜在20℃至40℃的电阻变化速率大于5％/秒。

8.一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，使用根据权利要求1或2所述之溅镀靶，并在一基板上沉积形成薄膜。

9.根据权利要求8所述之透明导电膜的制造方法，其特征在于，还包括升温该基板至20℃至400℃。

10.根据权利要求8所述之透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述沉积步骤是在真空度小于10-2帕下进行。

11.根据权利要求8所述之透明导电膜的制造方法，其特征在于，还包含一退火步骤。

12.根据权利要求11所述之透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述退火步骤之温度为300℃至600℃。

13.根据权利要求11所述之透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述退火步骤之退火时间为30分钟至5小时。

14.根据权利要求8所述之透明导电膜的制造方法，其特征在于，还包含一淬火步骤。

15.一种触控面板，其特征在于，包括：

一基板；

一感测层，为使用根据权利要求1或2所述之溅镀靶沉积于该基板上并经蚀刻所制得者；以及

复数条导线，设于所述基板上，且电性连接所述感测层。

16.根据权利要求15所述之触控面板，其特征在于，更包括一保护层，设于所述感测层上。

17.根据权利要求15所述之触控面板，其特征在于，所述基板为刚性基板或可挠式基板。

18.根据权利要求15所述之触控面板，其特征在于，所述感测层包括复数个彼此间隔排列的感测单元。

19.根据权利要求18所述之触控面板，其特征在于，所述感测单元的形状为菱形、正六边形、正方形、圆形、矩形或上述之组合。

20.根据权利要求18所述之触控面板，其特征在于，每一所述感测单元包括一第一端及一第二端，其中所述第一端及所述第二端分别与相对应的所述导线电性连接。