[发明专利]一种电子级多晶硅生产中回收氢气的净化处理工艺

权利要求书

1.一种电子级多晶硅生产中回收氢气的净化处理工艺，其特征为净化处理工艺如下：

（1）将低温淋洗吸收、换热后的含有微量氯化氢、氯硅烷及痕量BCl3、硼烷、磷烷、PCl5、POCl3等杂质的回收氢气通入回收氢气预冷器管程进行预冷，冷却后的回收氢气温度为25℃以下，压力为0.8MpaG以上；

（2）经预冷后的回收氢气进入回收氢气冷却器管程，进行再冷，再冷后的回收氢气温度为0℃以下，压力为0.8MpaG以上；

（3）经再冷后的回收氢气进入吸附器，对杂质进行吸附，吸附温度为20℃以下，压力为0.8MpaG；

（4）经吸附后的回收氢气进入回收氢气预冷器壳程，对管程中未吸附的回收氢气降温；

（5）从预冷器壳程出来的回收氢气进入回收氢气过滤器进行过滤；

（6）经过滤器过滤的回收氢气，纯度为99.999%（V/V），作为产品使用于多晶硅生产工艺。

2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅生产中回收氢气的净化处理工艺，其特征为所述吸附器为改性氧化铝吸附器，吸附器为夹套型吸附器，在夹套内由循环冷却水对吸附柱进行冷却，吸附柱温度为20℃以下。

3.根据权利要求1或2所述的电子级多晶硅生产中回收氢气的净化处理工艺，其特征为改性氧化铝的比表面积为700m²/g，强度＞80N，颗粒直径为1-3mm，吸附压力0.8MpaG以上，温度为20℃以下，在氢气进出口安装有滤网，滤网目数为80-100目，材质为OCr18Ni9。

4.根据权利要求1所述的电子级多晶硅生产中回收氢气的净化处理工艺，其特征过滤滤芯滤网材质为OCr18Ni9，网目数为80-100目。