[发明专利]一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的新方法有效
申请号: | 201310567912.2 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN103924109A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 唐新峰;梁涛;苏贤礼;张强;鄢永高 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C12/00;H01L35/16;H01L35/18 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蔓延 燃烧 合成 快速 制备 性能 cosb sub 热电 材料 新方法 | ||
1.一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的新方法,其特征在于它包括以下步骤:
1)按化学式Co4-xMxSb12-yTey中各元素的化学计量比进行称取Co粉、M粉、Sb粉、Te粉作为原料,其中x和y均大于等于0小于等于1.0,M为Fe或Ni,然后将原料粉末研磨混合均匀,将混合均匀的粉末压制成块状胚体;
2)将步骤1)所得块状胚体引发高温自蔓延合成反应,反应完成后自然冷却,均可得到单相CoSb3化合物;
3)将步骤2)所得产物研磨成粉末,进行放电等离子体活化烧结,得到纯单相高性能CoSb3基热电材料。
2. 根据权利要求1所述的一种快速制备高性能CoSb3基热电材料的新方法,其特征在于所述步骤1)中Co粉、Sb粉、Te粉、M粉的质量纯度均大于等于99.9%;压制工艺为:4MPa下保压5min。
3. 根据权利要求1所述的一种快速制备高性能CoSb3基热电材料的新方法,其特征在于所述步骤2)中自蔓延反应采用点加热方式对块状胚体的端部进行加热,局部起爆引发自蔓延反应。
4. 根据权利要求1所述的一种快速制备高性能CoSb3基热电材料的新方法,其特征在于所述步骤3)中粉末进行放电等离子体活化烧结的过程为:将骤2)所得产物粉末粉末在真空小于10Pa和烧结压力为40MPa条件下进行烧结,以100℃/min的升温速率升温到650℃,烧结致密化时间8min。
5. 权利要求1所述的方法得到高性能CoSb3基致密块体热电材料。
6. 根据权利要求5所述的高性能CoSb3基致密块体热电材料,其特征在于所得CoSb3基致密块体热电材料为Co4Sb11.4Te0.6时,其热电性能优值ZT在875K达到0.98。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310567912.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:一种2-芳基腈噻唑衍生物的制备方法