[发明专利]一种金色薄膜的制备方法无效
申请号: | 201310567819.1 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103613286A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 陈路玉 | 申请(专利权)人: | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;C23C14/35 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 吴剑锋 |
地址: | 528400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金色 薄膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种金色薄膜的制备方法。
背景技术
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率,对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能,广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。
目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高,仅为50%左右;在红外辐射波长范围内透射率较高,尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。故此,现有的透明玻璃基材有待于进步完善。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的金色薄膜的制备方法。
为了达到上述目的,本发明采用以下方案:
一种金色薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,氧气与氩气的体积比为1:2,直流电源溅射不锈钢平面靶,在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层;
B、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层;
C、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤B中的CrNx层上磁控溅射Ag层;
D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射硅平面靶,在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层;
E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金,在步骤D中的Si层上磁控溅射NiCr层;
F、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述SSTOx层的厚度为30~45nm,所述氩气与氧气的体积比为1:2,所述直流电源的溅射功率为75~115KW分两个阴极溅射。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法,其特征在于步骤B中所述CrNx层的厚度为3~5nm,所述氩气与氮气的体积比为1:2,所述直流电源的溅射功率3~6KW。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法,其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8~10nm,所述的直流电源的溅射功率4~5KW。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法,其特征在于步骤D所述Si层的厚度为10~20nm,所述直流电源的溅射功率3~6KW。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法,其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为3~5nm,其中NiCr合金中Ni与Cr的摩尔比为21:79,所述直流电源的溅射功率3~5KW。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法,其特征在于步骤F中所述ZnSnO3层的厚度为20~30nm,所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52,所述交流电源的溅射功率为50~75KW。
综上所述,本发明的有益效果:
本发明工艺方法简单,操作方便,生产成本相对较低。本发明产品具有24K金色,颜色鲜艳,有用Au制备的金色纯度,透光率T≥40%,R≥30%。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述:
实施例1
本发明一种金色薄膜的制备方法,包括以下步骤:
A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,氧气与氩气的体积比为1:2,即氧气:氩气=500sccm:1000sccm,直流电源溅射不锈钢平面靶,在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层;所述SSTOx层的厚度为30nm,所述氩气与氧气的体积比为1:2,所述直流电源的溅射功率为75KW分两个阴极溅射。
B、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,氮气与氩气的体积比为1:2,即氧气:氩气=500SCCM:1000SCCM,直流电源溅射铬平面靶,在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层;所述CrNx层的厚度为3nm,所述氩气与氮气的体积比为1:2,所述直流电源的溅射功率3KW。
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