[发明专利]用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法

说明书

本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式1表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R¹和R^a至R^e与在详细描述中所定义的相同。[化学式1]

本申请要求于2013年4月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2013-0043079的优先权和权益，将其全部内容以引用方式结合于本文中。

技术领域

披露了用于绝缘层的清洗液（冲洗液，漂洗液，rinse liquid）以及清洗绝缘层的方法。

背景技术

随着半导体技术日益发达，对形成具有改善性能并集成更小半导体芯片的高度集成且更快的半导体存储单元存在持续的研究。在这些半导体存储单元中，例如，可以使用DRAM（动态随机存取存储器）。DRAM能够自由输入和输出信息，并可以实现大容量。

DRAM可以包括，例如，多个单元，其包括一个MOS晶体管（MOS晶体管）和一个电容器。电容器可以包括两个电极和设置在其间的介电层。电容器可以具有不同的容量，其取决于，例如，介电常数、介电层的厚度、电极的面积等。

随着半导体芯片的尺寸减小，也可以减小其中的电容器的尺寸。然而，更小的电容器需要足够的存储容量。通过例如增加垂直面积来代替降低水平面积以增加总有效面积，电容器可以实现更大容量。在这里，需要这样的绝缘材料，其具有间隙填充特性以填充在图案之间的窄间隙而没有真空空间。

这种绝缘材料可以通过施加含硅氮化合物如聚硅氮烷并使其固化而包括二氧化硅。二氧化硅可以在电子器件如半导体装置或显示器件中用作，例如，用于电容器的介电层、层间绝缘层、平坦化层、钝化膜、分离绝缘体等。

另一方面，当含硅氮化合物如聚硅氮烷用来在基底（衬底，基板，substrate）上形成薄膜时，在不期待形成薄膜处形成的含硅氮化合物或其残留在基底的侧面或后面的残留物需要被除去，并且在这里可以使用用于绝缘层的清洗液。

发明内容

一个实施方式提供了用于绝缘层的清洗液，其有效地清洗绝缘层的残留物而不会对绝缘层的特性具有影响。

另一个实施方式提供了利用用于绝缘层的清洗液来清洗绝缘层的方法。

根据一个实施方式，提供了一种用于绝缘层的清洗液，其包含由以下化学式1表示的溶剂。

[化学式1]

在化学式1中，

R¹是氢、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C7至C30芳烷基基团、取代或未取代的C1至C30杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代或未取代的C5至C30杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的烷氧基基团、取代或未取代的羰基基团、或它们的组合，以及

R^a至R^e各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C7至C30芳烷基基团、取代或未取代的C1至C30杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代或未取代的C5至C30杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的烷氧基基团、取代或未取代的羰基基团、羟基基团、卤素原子、或它们的组合。

溶剂可以包括苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸异丙酯、苯甲酸丁酯、苯甲酸苄酯或它们的组合。