[发明专利]薄膜晶体管驱动背板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一透光绝缘基板；

若干不透光的栅电极，形成于所述透光绝缘基板上；

一栅极绝缘膜，形成于所述透光绝缘基板上，覆盖所述栅电极；以及

一图案化的光导半导体层，形成于所述栅极绝缘膜上，所述光导半导体层包含与所述栅电极沿所述透光绝缘基板方向重叠区域和超出区域，所述超出区域通过电磁辐射转化为导体，分别为所述薄膜晶体管的源极区域和漏极区域。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述超出区域通过一紫外线照射转化为导体。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述重叠区域被遮盖，未被光线照射，仍为半导体。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述光导半导体层包含铟、镓和锌氧化物。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述光导半导体层从两个相对的方向超出所述栅电极。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述透光绝缘基板的材料是玻璃或柔性介电材料。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：至少包括以下步骤：

在一透光绝缘基板上形成若干不透光的栅电极，在所述透光绝缘基板上形成一栅极绝缘膜，覆盖所述栅电极；以及

在所述栅极绝缘膜上形成一图案化的光导半导体层，所述光导半导体层包含与所述栅电极沿所述透光绝缘基板方向重叠区域和超出区域，通过电磁辐射转化所述超出区域为导体，分别为所述薄膜晶体管的源极区域和漏极区域。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述电磁辐射转化步骤中，提供一紫外线，穿透所述透光绝缘基板，仅照射到所述光导半导体层超出所述栅电极的超出区域。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述重叠区域被遮盖，未被光线照射，仍为半导体。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述光导半导体层包含铟、镓和锌氧化物。

11.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述光导半导体层从两个相对的方向超出所述栅电极。

12.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述透光绝缘基板的材料是玻璃或柔性介电材料。

13.一种薄膜晶体管驱动背板，其特征在于，包括：

一透光绝缘基板；

若干不透光的栅电极，形成于所述透光绝缘基板上；

一栅极绝缘膜，形成于所述透光绝缘基板上，覆盖所述栅电极；

一图案化的光导半导体层，形成于所述栅极绝缘膜上，所述光导半导体层包含与所述栅电极沿所述透光绝缘基板方向重叠区域和超出区域，通过电磁辐射转化所述超出区域为导体，分别为所述薄膜晶体管的源极区域和漏极区域；以及

一图形化的保护层，覆盖所述光导半导体层，所述保护层上形成有露出所述漏极区域的像素电极接触孔；

像素电极，通过所述像素电极接触孔耦接所述漏极区域；以及

一绝缘层，形成于所述保护层上，露出部分所述像素电极。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管驱动背板，其特征在于：所述超出区域通过一紫外线照射转化为导体。

15.如权利要求14所述的薄膜晶体管驱动背板，其特征在于：所述重叠区域被遮盖，未被光线照射，仍为半导体。

16.如权利要求13所述的薄膜晶体管驱动背板，其特征在于：所述光导半导体层包含铟、镓和锌氧化物。

17.如权利要求13所述的薄膜晶体管驱动背板，其特征在于：所述光导半导体层从两个相对的方向超出所述栅电极。

18.如权利要求13所述的薄膜晶体管驱动背板，其特征在于：所述像素电极的材料包括氧化铟锡。