[发明专利]半导体集成电路和具有半导体集成电路的半导体系统

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

多个半导体芯片，所述多个半导体芯片被配置成以三维形式层叠；

第一组穿通芯片通孔，所述第一组穿通芯片通孔被配置成分别穿过所述多个半导体芯片、并且用于所述半导体集成电路的密度扩展和带宽扩展；以及

第二组穿通芯片通孔，所述第二组穿通芯片通孔被配置成分别穿过所述多个半导体芯片、并且用于所述半导体集成电路的带宽扩展，

其中，所述多个半导体芯片中的每个半导体芯片包括：

路径选择单元，所述路径选择单元被配置成响应于模式转换信号来选择布置在所述半导体芯片中的所述第一组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔、或者选择布置在所述半导体芯片中的所述第二组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔；以及

内部电路，所述内部电路被配置成与通过所述路径选择单元选择的穿通芯片通孔选择性地耦接。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路，

其中，所述第一组穿通芯片通孔穿过所述多个半导体芯片实质上对准，并且在所述半导体芯片之间相互耦接，以及

其中，所述第二组穿通芯片通孔穿过所述多个半导体芯片实质上对准，并且布置在所述多个半导体芯片中的一个半导体芯片中的所述第二组穿通芯片通孔中的每个穿通芯片通孔与布置在所述多个半导体芯片中的另一个半导体芯片中的所述第一组穿通芯片通孔相互耦接。

3.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述路径选择单元包括：

第一耦接单元，所述第一耦接单元被配置成响应于所述模式转换信号而将所述内部电路与所述第一组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔耦接；以及

第二耦接单元，所述第二耦接单元被配置成响应于所述模式转换信号而将所述内部电路与所述第二组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔耦接。

4.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述多个半导体芯片中的每个半导体芯片还包括被配置成产生所述模式转换信号的熔丝电路单元。

5.如权利要求1所述的半导体集成电路，还包括：

第三组穿通芯片通孔，所述第三组穿通芯片通孔被配置成分别穿过所述多个半导体芯片，以在所述半导体芯片之间相互耦接，并且分别向所述多个半导体芯片提供从外部施加的所述模式转换信号。

6.一种半导体集成电路，包括：

N个半导体芯片，所述N个半导体芯片被配置成以三维形式层叠，其中，N为等于或大于2的自然数；以及

N组穿通芯片通孔，所述N组穿通芯片通孔中的每一组被配置成穿过所述N个半导体芯片，

其中，所述N组穿通芯片通孔包括：

一个第一组穿通芯片通孔，所述一个第一组穿通芯片通孔被配置成分别穿过所述N个半导体芯片、并且用于所述半导体集成电路的密度扩展和带宽扩展；以及

N-1个第二组穿通芯片通孔，所述N-1个第二组穿通芯片通孔被配置成分别穿过所述N个半导体芯片、并且用于N个所述半导体集成电路的带宽扩展。

7.如权利要求6所述的半导体集成电路，其中，每一组穿通芯片通孔中的穿通芯片通孔穿过所述N个半导体芯片实质上对准。

8.如权利要求6所述的半导体集成电路，其中，所述N个半导体芯片中的每个半导体芯片包括：

路径选择单元，所述路径选择单元被配置成响应于模式转换信号来选择布置在所述半导体芯片中的所述第一组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔、或选择布置在所述半导体芯片中的所述第二组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔；以及

输入/输出单元，所述输入/输出单元被配置成与通过所述路径选择单元选择的穿通芯片通孔选择性地耦接。