[发明专利]一种改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法

权利要求书

1.一种改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法，其特征在于，该方法是将k值为1.6-2.0的超低介电常数多孔SiCOH薄膜，在环境温度下，置于紫外光下进行照射，以提高薄膜的抗吸湿性能，其中，紫外光波长范围为200-400nm，环境温度为50-100℃，照射时间为2-10小时。

2.如权利要求1所述的改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法，其特征在于，所述的照射时间为3-6小时。

3.如权利要求1所述的改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法，其特征在于，所述的超低介电常数多孔SiCOH薄膜具有Al-SiCOH-Si-Al的结构，该结构是在硅衬底的上表面设置有SiCOH薄膜层，在硅衬底的下表面以及薄膜层上表面分别淀积Al电极。

4.如权利要求3所述的改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法，其特征在于，所述的超低介电常数多孔SiCOH薄膜的制备方法包含：

      步骤1，以1，2-二（三乙氧基硅基）乙烷为前驱体，以嵌段共聚物P123为成孔剂，以稀盐酸为催化剂，并加入乙醇作为溶剂，置于40-80℃的油浴中连续搅拌1-5小时，得到透明成膜液；上述各组分的摩尔比为：1，2-二（三乙氧基硅基）乙烷: P₁₂₃ : H₂O : HCl : EtOH = (3-10) : (0.02-0.15) : (100-300) : (0.09-0.5) : (70-250)； 

      步骤2，将上述成膜液滴到洗净的硅片上，旋涂成膜；

  步骤3，将上述所得薄膜先置于烘箱中在40-100℃条件下陈化20-100h,然后置于退火炉中,通入氮气,由室温缓慢升至350℃-600℃,并保持1h,最后缓慢降至室温；

步骤4，采用电子束蒸发的方法，在步骤3所得的薄膜上表面及衬底下表面分别淀积一层500nm-1500nm厚度的Al电极，形成Al-SiCOH-Si-Al结构。

5.如权利要求4所述的改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法，其特征在于，所述的旋涂成膜过程分为三个阶段：第一阶段，以500-800 rpm的转速旋转5-15s；第二阶段，以1500-3000 rpm的转速旋转20-45s；第三阶段，以800-1500 rpm的转速旋转5-15s。