[发明专利]背接触太阳能电池组件有效
申请号: | 201310565600.8 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103560154A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 倪健雄;李高非;韩帅;于波;蒋京娜 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域,具体而言,涉及一种背接触太阳能电池组件。
背景技术
随着油气等不可再生资源的日益枯竭,人类对于可再生能源的开发和应用越来越重视。太阳能电池作为一种通过光生伏打效应将太阳能光线转化为电能的装置,其具有绿色环保、取之不尽用之不竭等特点。
目前太阳能技术的发展和应用日新月异。太阳能电池一般可分为晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机太阳能电池。经过多年的技术进步和市场推广比较成熟,目前晶体硅太阳能电池逐步在太阳能领域中占据主导地位。
为提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率,研究人员期望尽量减少太阳能电池受光面入射光线的遮挡面积。背接触太阳能电池是一种通过激光在电池片开孔以去除正面的主栅电极,使电极贯穿到太阳能电池背面,然后利用导电背板的金属箔将所有电池片的正电极连接、所有负电极相连接的太阳能电池。背板是背接触太阳能电池组件的重要组成部分,通常需要在高可靠性的背板材料上制备高精度的导电电路。现有技术中的背板均由含氟聚合物制成,还需要往背板上印刷金属导电层。这样,一方面由于含氟聚合物材料耐高温性能不佳,另一方面又由于含氟聚合物材料薄膜的抗张强度有限,就造成了背接触太阳能电池组件的制作工艺复杂、废品率高的问题。
发明内容
本发明旨在提供一种背接触太阳能电池组件,以解决现有技术的背接触太阳能电池组件制作工艺复杂、废品率高的问题。
为了实现上述目的,本发明提供了一种背接触太阳能电池组件,包括叠置的透明层、第一封装层、电池片层、第二封装层和背板层,其中,背板层与第二封装层之间设置有第一导电体和第二导电体,背接触太阳能电池组件还包括第一孔道和第二孔道,均设置在电池片层和第二封装层上,第一孔道连通电池片层中的电池片的正极和第一导电体,第二孔道连通电池片层中的电池片的负极和第二导电体,第一孔道和第二孔道内填充有导电浆料,背板层的材质为玻璃。
进一步地,第一导体和第二导电体均为导电金属箔。
进一步地,第一导体和第二导电体在背板层上间隔的设置,第一导体和第二导电体之间的填充有电介质。
进一步地,第一导体和第二导电体厚度均在10μm至500μm的范围内。
进一步地,第一导体和第二导电体均为厚度在25μm至35μm范围内的铜膜,电介质为厚度在25μm至35μm范围内的硅胶。
进一步地,导电金属箔包括多层。
进一步地,导电金属箔包括叠置的底层和顶层,底层为厚度在35μm至45μm范围内的铝膜,顶层为厚度在5μm至15μm范围内的银膜,电介质为厚度在45μm至55μm范围内的硅胶,电介质的厚度与导电金属箔的厚度相同。
进一步地,导电金属箔包含至少一层银金属薄膜、铝金属薄膜、铬金属薄膜、铂金属薄膜、钼金属薄膜或铜金属薄膜。
进一步地,透明层与背板层材质为钢化玻璃。
进一步地,第一封装层和/或第二封装层的材质为聚乙烯-乙烯酸乙酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚氨酯弹性体、聚烯烃和聚乙烯-乙酸酯离子聚合物中之一。
应用本发明的技术方案,设置有导电体的背板层的材质为玻璃。由于玻璃具有良好的耐热、耐电化学腐蚀和高的屈服强度,在材质为玻璃的背板层上印刷或者焊接第一导电体和第二导电体就会更加可靠,也会使得背接触太阳能电池组件的加工工艺变得简单,更降低了废品率。同时,玻璃材质的背板层硬度也比较大,保证背接触太阳能电池组件的使用可靠性。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1示出了根据本发明的背接触太阳能电池组件的实施例的结构示意图;以及
图2示出了图1的背接触太阳能电池组件的局部结构示意图。
上述附图包括以下附图标记:
10、透明层;20、第一封装层;30、电池片层;40、第二封装层;50、导电浆料;60、背板层;61、导电金属箔;62、电介质。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的