[发明专利]环境敏感电子元件封装体有效
申请号: | 201310559674.0 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN103811432A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 施秉彝 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 环境 敏感 电子元件 封装 | ||
技术领域
本发明是有关于一种封装体,且特别是有关于一种环境敏感电子元件封装体。
背景技术
随着电子元件工业技术的进步,电子元件已从硬质不可挠曲接口朝向软性可挠曲接口发展,此发展过程伴随着电子元件基板的材质的改变。具体而言,软性基板已逐渐取代了硬质玻璃基板的应用。然而,软性电子元件的水气及氧气阻绝性一直是亟待解决的问题,为求有效延长软性电子元件的寿命,封装结构即成为可以有效阻绝水气或氧气的技术手段。
发明内容
本发明提供一种环境敏感电子组件封装体,以改善环境敏感电子组件寿命减短的问题。
本发明的一实施例提出一种环境敏感电子元件封装体,其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、至少一侧壁阻障结构以及填充层。第二基板配置于第一基板上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上,且位于第一基板与第二基板之间。侧壁阻障结构位于第一基板与第二基板之间,其中侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。侧壁阻障结构沿着路径延伸,且侧壁阻障结构的高度沿着路径变化。填充层位于第一基板与第二基板之间,且包覆环境敏感电子元件以及侧壁阻障结构。
本发明的另一实施例提出一种环境敏感电子元件封装体,其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、至少一第一侧壁阻障结构、至少一第二侧壁阻障结构以及填充层。第二基板配置于第一基板上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上,且位于第一基板与第二基板之间。第一侧壁阻障结构配置于第一基板上,且位于第一基板与第二基板之间,其中第一侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。第一侧壁阻障结构沿着路径延伸,且第一侧壁阻障结构的高度固定。第二侧壁阻障结构配置于第二基板上,且位于第一基板与第二基板之间,其中第二侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。第二侧壁阻障结构沿着路径延伸,且第二侧壁阻障结构的高度固定。填充层位于第一基板与第二基板之间,且包覆环境敏感电子元件、第一侧壁阻障结构以及第二侧壁阻障结构。
本发明的的一实施例提出一种环境敏感电子组件封装体,其第一基板与第二基板之间具有侧壁阻障结构,其中侧壁阻障结构沿着一路径延伸,以环绕环境敏感电子组件,并且侧壁阻障结构的高度适于沿着此路径作变化。因此,本发明的环境敏感电子组件封装体具有良好的阻隔水气与氧气的能力,可有效延长环境敏感电子组件的寿命。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图1B是图1A的环境敏感电子元件封装体的上视图。
图2A至图2G分别为图1的环境敏感电子元件封装体沿I-I’剖面线所得的多个实施例的局部剖面示意图。
图3A至图3B是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图4A至图4E是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图5A至图5D是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图6A是本发明又一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图6B是图6A的环境敏感电子元件封装体的上视图。
图6C为图6A的环境敏感电子元件封装体沿J-J’剖面线所得的局部剖面示意图。
图6D至图6G是本发明又一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
【符号说明】
100A~100L、200A~200E:环境敏感电子元件封装体;
110、210:第一基板;
120、220:第二基板;
130、230:环境敏感电子元件;
142、242:第一侧壁阻障结构;
142a、242a:第一阻障层;
142b、242b:第一包覆层;
144、244:第二侧壁阻障结构;
144a、244a:第二阻障层;
144b、244b:第二包覆层;
150、250:填充层;
160:吸湿层;
170、270:保护层;
180:线路区;
P1~P5:路径。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310559674.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。