[发明专利]雪崩光电二极管及其制造方法

权利要求书

1. 一种雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体衬底上，使倍增层生长的工序；

在所述倍增层上，使电场衰减层生长的工序；

以覆盖所述电场衰减层的上表面的方式，使过渡层生长的工序；

在用所述过渡层覆盖所述电场衰减层的上表面之后进行升温，在所述过渡层上在比所述电场衰减层的生长温度更高的温度下使光吸收层生长的工序，

其中，所述过渡层的生长温度是比所述光吸收层的生长温度更低的温度，

所述过渡层由在处于比所述电场衰减层的生长温度更高的温度时比所述电场衰减层难以产生表面缺陷的半导体材料构成。

2. 如权利要求1所述的雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，所述过渡层由带隙的大小以越从所述电场衰减层侧向所述光吸收层侧靠近越接近所述光吸收层的带隙大小的方式变化的1个或多个半导体层构成。

3. 如权利要求1所述的雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，所述电场衰减层由使用碳作为掺杂剂的AlInAs构成。

4. 如权利要求1所述的雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，

所述过渡层为InGaAsP层，

所述光吸收层为InGaAs层。

5. 如权利要求1所述的雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，所述电场衰减层的生长温度为550℃以上且600℃以下的温度范围内的温度。

6. 如权利要求1所述的雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，所述光吸收层的生长温度为600℃以上且660℃以下的温度范围内的温度。

7. 如权利要求1所述的雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，所述过渡层的组成由In_1-xGa_xAs_yP_1-y定义，并且在0.024≤x≤0.483且0.053≤y≤0.928的范围内。

8. 如权利要求1所述的雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，所述过渡层是组成含有In、Ga、As、P及Al的半导体层。

9. 一种雪崩光电二极管，其特征在于，具备：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上生长的倍增层；

在所述倍增层上生长的电场衰减层；

以覆盖所述电场衰减层的上表面的方式生长的过渡层；

在所述过渡层上生长的光吸收层，

其中，所述过渡层的带隙为所述电场衰减层的带隙和所述光吸收层的带隙的中间，

所述过渡层由在比所述光吸收层的生长温度更低的温度下生长的半导体材料构成，

所述过渡层由在处于所述光吸收层的生长温度时比所述电场衰减层更难以产生表面缺陷的半导体材料构成。

10. 如权利要求9所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述过渡层由带隙的大小以越从所述电场衰减层侧向所述光吸收层侧靠近越接近所述光吸收层的带隙大小的方式变化的1个或多个半导体层构成。

11. 如权利要求9所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述电场衰减层由使用碳作为掺杂剂的AlInAs构成。

12. 如权利要求9所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述电场衰减层为AlInAs层、InGaAsP层及AlGaInAs层中的任一个。

13. 如权利要求9所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述光吸收层为InGaAs层。

14. 如权利要求9所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述过渡层的组成由In_1-xGa_xAs_yP_1-y定义，并且在0.024≤x≤0.483且0.053≤y≤0.928的范围内。

15. 如权利要求9所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述过渡层是组成含有In、Ga、As、P及Al的半导体层。