[发明专利]S形光子晶体光纤锥传感器及其制备方法

权利要求书

1.S形光子晶体光纤锥传感器，其特征在于所述传感器由光纤经拉锥工艺制成，塌孔区域变形为S形，锥长L=250～350μm，腰径W=80～120μm，偏移距离△d=30～50μm。

2.根据权利要求1所述的S形光子晶体光纤锥传感器，其特征在于所述锥长L=280μm，腰径W=110μm，偏移距离△d=40μm。

3.根据权利要求1所述的S形光子晶体光纤锥传感器，其特征在于所述光纤为ESM12-02型号光纤。

4.一种权利要求1所述S形光子晶体光纤锥传感器的制备方法，其特征在于所述S形光子晶体光纤锥传感器使用光纤熔接机进行电弧加热拉锥和光纤之间的熔接，其过程如下：

（1）选择拉锥程序，并设置预热、拉锥、退火三个拉锥过程中的电流和时间；

（2）光纤夹具夹紧光纤的两端，上下移动一侧的夹具，形成一定大小的偏移距离△d；

（3）开启预先设置好的拉锥程序，夹具在电机的拖拽下，向两侧同步移动，形成S形光子晶体光纤锥。

5.根据权利要求4所述的S形光子晶体光纤锥传感器的制备方法，其特征在于所述预热过程中I₁=13mA，t₁=1s；拉锥过程中I₂=10.5mA，t₂=3s；退火过程中I₃=7mA，t₃=2s；S形光子晶体光纤锥传感器的锥长L=280μm，腰径W=110μm，偏移距离△d=40μm。

6.根据权利要求4所述的S形光子晶体光纤锥传感器的制备方法，其特征在于所述光纤熔接机为Ericsson FSU975光纤熔接机。

7.根据权利要求4所述的S形光子晶体光纤锥传感器的制备方法，其特征在于所述光纤为ESM12-02型号光纤。