[发明专利]DRC文件的坐标数据对比方法有效

专利信息
申请号: 201310554644.0 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN103646031B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 童庆强 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G06F17/30 分类号: G06F17/30
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 竺路玲
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: drc 文件 坐标 数据 对比 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及DRC(Design Rule Check,设计规则检查)文件的开发,具体地说是一种不同版本DRC文件的坐标数据对比方法。

背景技术

DRC文件是半导体设计生产中不可或缺的文件,开发不同工具或者不同版本DRC文件时,二者之间对比一直是通过人工手动方式对比,而坐标数据成千上万,基本无法全部逐点对比,最终根本不能保证不同工具之间的统一性以及不同版本之间的继承性。

中国专利(公开号:CN102129483A)公开了一种版图验证规则文件测试向量的自动生成方法,是集成电路辅助设计软件工具中版图验证(DRC)中的一种优化方法。为了保证版图验证规则文件的正确性,通用的方法是:根据规则文件的描述,由人工构造多个测试向量,然后分析测试向量的计算结果是否与预期一致。人工构造测试用例的方法有两个显著缺点,首先,该方法工作量很大,效率低。其次,人工构造向量用例难以保证测试的全面性。为了克服人工构造测试向量的缺陷,该发明提出了一种测试向量的自动生成方法,该方法由计算机程序自动生成覆盖全面的测试向量,可以在很短的时间内完成测试向量的生成,大大提高了开发效率,保证了规则文件的正确性。

中国专利(公开号:CN101162477A)公开了一种验证DRC配置文件的方法,包括步骤:设计两组图形,一组为正确图形,另一组为错误图形;用DRC配置文件分别检查正确图形和错误图形,如果检查正确图形没有错误,且检查错误图形有相应错误,说明DRC配置文件正确,否则说明DRC配置文件有错误,需修改。该发明的验证DRC配置文件的方法,能确保DRC配置文件的正确,保证版图设计规则检查的准确性,为芯片成功流片提供有力保障。

上述两个专利虽然公开了能够提高DRC文件的开发效率以及正确配置DRC文件保证设计规则检查准确性的方法,但与本发明采用的技术手段是完全不同的,其也并未解决无法保证不同工具DRC文件之间的统一性以及不同版本DRC文件之间的继承性的问题。

发明内容

针对上述存在的问题,本发明公开一种DRC文件的坐标数据对比方法,解决了无法保证不同工具DRC文件之间的统一性以及不同版本DRC文件之间的继承性的问题。

为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种DRC文件的坐标数据对比方法,其中,采用如下步骤:

步骤S1,设计一组存在设计规则错误的版图,将所述版图采用第一版本DRC文件进行检查,将检查后的所述版图中的错误图形的错误坐标数据保存到第一数据库中;

步骤S2,将所述版图采用第二版本DRC文件进行检查,将检查后的所述版图中的错误图形的错误坐标数据保存到第二数据库中;

步骤S3,设定错误坐标数据对比规则,根据所述错误坐标数据对比规则对比所述第一数据库中的错误坐标数据和所述第二数据库中的错误坐标数据,以得到对比结果。

上述的DRC文件的坐标数据对比方法,其中,在所述步骤S3中,根据所述错误坐标数据对比规则对比所述第一数据库中的错误坐标数据和所述第二数据库中的错误坐标数据,包括依次对所述版图中的每一处错误图形对应的所述第一数据库中的错误坐标数据和所述第二数据库中的错误坐标数据进行对比。

上述的DRC文件的坐标数据对比方法,其中,所述错误坐标数据对比规则为:

对比所述第一数据库中的错误坐标数据的错误类型和所述第二数据库中的错误坐标数据的错误类型;以及对比所述第一数据库中的错误坐标数据的坐标位置和所述第二数据库中的错误坐标数据的坐标位置;

若所述第一数据库中的错误坐标数据的错误类型和所述第二数据库中的错误坐标数据的错误类型相同,且所述第一数据库中的错误坐标数据的坐标位置和所述第二数据库中的错误坐标数据的坐标位置相同,则所述对比结果为所述第一数据库中的错误坐标数据和所述第二数据库中的错误坐标数据相同;

若所述第一数据库中的错误坐标数据的错误类型和所述第二数据库中的错误坐标数据的错误类型相同,且所述第一数据库中的错误坐标数据的坐标位置和所述第二数据库中的错误坐标数据的坐标位置不相同,则所述第二数据库中的错误坐标数据的坐标位置缺失,所述对比结果为缺失的所述第二数据库中的错误坐标数据的坐标位置;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310554644.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top