[发明专利]处理多晶硅还原尾气的方法和系统有效
| 申请号： | 201310553735.2 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103539069A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 司文学;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮 | 申请（专利权）人： | 中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B3/50 | 分类号： | C01B3/50;C01B33/107;C01B33/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100038*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 多晶 还原 尾气 方法 系统 | ||
1.一种处理多晶硅还原尾气的方法，其特征在于，包括：
将所述多晶硅还原尾气进行除尘处理，以便得到经过除尘的还原尾气；
将所述经过除尘的还原尾气进行冷凝处理，以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气；
将所述经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理，以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气；
将所述经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理，以便得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的吸附剂；
将所述含有氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱吸处理，以便得到包含氯硅烷和氯化氢的混合气体；
将所述包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理，以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述经过冷凝处理的还原尾气的温度为30～40摄氏度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述经过第一加压冷却处理的还原尾气的压力为0.9～1.2Mpa，温度为30～40摄氏度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述吸附处理是在0.9～1.2Mpa的压力下进行的，所述脱吸处理是在-0.09～-0.07MPa的压力下进行的。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述包含氯硅烷和氯化氢的混合气体的压力为0.01～0.03Mpa。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不凝气的压力为0.3～0.5Mpa，温度为-40～-20摄氏度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
对所述第一氯硅烷、所述第二氯硅烷、所述第三氯硅烷进行提纯处理。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括，将所述包含氯化氢的不凝气用于制备白炭黑。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述除尘处理是在0.4～0.6MPa的压力下进行的。
10.一种处理多晶硅还原尾气的系统，其特征在于，包括：
除尘装置，所述除尘装置用于将多晶硅还原尾气进行除尘处理，以便得到经过除尘的还原尾气；
冷凝装置，所述冷凝装置与所述除尘装置相连，用于将所述经过除尘的还原尾气进行冷凝处理，以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气；
第一加压冷却装置，所述第一加压冷却装置与所述冷凝装置相连，用于将所述经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理，以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气；
吸附-脱吸装置，所述吸附-脱吸装置与第一加压冷却装置相连，用于将所述经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理和脱吸处理，以便得到氢气和包含氯硅烷和氯化氢的混合气体；
第二加压冷却装置，所述第二加压冷却装置与所述吸附-脱吸装置相连，用于将所述包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理，以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。
11.根据权利要求10所述的系统，其特征在于，进一步包括，
提纯装置，所述提纯装置与所述冷凝装置、第一加压冷却装置、第二加压冷却装置相连，用于对所述第一氯硅烷、所述第二氯硅烷、所述第三氯硅烷进行提纯处理。
12.根据权利要求10所述的系统，其特征在于，还包括，
白炭黑合成装置，所述白炭黑合成装置与所述第二加压冷却装置相连，用于将所述包含氯化氢的不凝气制备白炭黑。
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